IGBT

IGBT资讯

赛米控无焊接IGBT模块面向电力和混合动力车辆中的22kW-150kW机车驱动转换器

赛米控(Semikron)发布了一款100%无焊接IGBT模块,该模块适用于电力和混合动力车辆中的22kW-150kW机车驱动转换器。与带基板和焊接端子的模块相比,SKiM的温度循环能力要高5倍。在一些功率半导体制造商仍在改进焊接触点以满足汽车工业

分类:新品快报 时间:2007/6/12 阅读:1737 关键词:IGBT

赛米控无焊接IGBT模块温度循环能力提升了5倍

赛米控(Semikron)发布了一款100%无焊接IGBT模块,该模块适用于电力和混合动力车辆中的22kW-150kW机车驱动转换器。与带基板和焊接端子的模块相比,SKiM的温度循环能力要高5倍。在一些功率半导体制造商仍在改进焊接触点以满足汽车工业

时间:2007/6/11 阅读:1574 关键词:IGBT

瑞萨发布用于相机闪光灯控制的RJP4004ANS IGBT

瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布,推出用于嵌入移动电话和数码相机(DSC)的相机电子闪灯(Strobe)控制的RJP4004ANSIGBT。RJP4004ANS采用业界最小的VSON-8(超薄小外形无铅8引脚封装

分类:名企新闻 时间:2007/5/23 阅读:2667 关键词:IGBT闪光灯

瑞萨发布用于相机电子闪光控制的200A IGBT

瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布,推出用于嵌入移动电话和数码相机(DSC)的相机电子闪灯(Strobe)控制的RJP4004ANSIGBT。RJP4004ANS采用业界最小的VSON-8(超薄小外形无铅8引脚封装

分类:新品快报 时间:2007/5/22 阅读:825 关键词:IGBT

瑞萨推出数码相机电子闪光控制用IGBT RJP4004ANS

瑞萨科技推出用于嵌入移动电话和数码相机(DSC)的相机电子闪灯(Strobe)控制的RJP4004ANSIGBT。RJP4004ANS采用VSON-8(超薄小外形无铅8引脚封装,瑞萨封装代码)封装,具有处理高达200A大电流的能力。样品交付将于20

分类:新品快报 时间:2007/5/22 阅读:387 关键词:IGBT

瑞萨科技发布用于移动电话相机和数码相机电子闪光控制的200A IGBT

瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布,推出用于嵌入移动电话和数码相机(DSC)的相机电子闪灯(Strobe*2)控制的RJP4004ANSIGBT*1。RJP4004ANS采用业界最小的VSON-8(超薄小外形无铅8

分类:新品快报 时间:2007/5/21 阅读:284 关键词:IGBT

瑞萨科技公司推出相机电子闪灯控制的RJP4004ANS IGBT*1

瑞萨科技公司宣布,推出用于嵌入移动电话和数码相机(DSC)的相机电子闪灯(Strobe*2)控制的RJP4004ANSIGBT*1。RJP4004ANS采用业界最小的VSON-8(超薄小外形无铅8引脚封装,瑞萨封装代码)封装,具有处理高达200A大

分类:新品快报 时间:2007/5/21 阅读:1136 关键词:IGBT

基于IGBT的电磁振荡设计

前言IGBT是绝缘栅极双极型晶体管。它是一种新型的功率开关器件,电压控制器件,具有输入阻抗高、速度快、热稳定性强、耐压高方面的优点,因此在现实电力电子装置中得到了广泛的应用。在我们的设计中使用的是西门子公司生产的BSM50GB120,...

分类:业界要闻 时间:2007/5/8 阅读:660 关键词:IGBT

优利康变频器被作为三菱IGBT应用方案作出高度评价

在近日的幕尼黑电子展上,宫川株式会社优利康电气有限公司所生产的YD1000、YD3000、YD5000被日本三菱电机作为三菱IGBT典型应用案例进行展出。与会人员对我公司—三菱IGBT应用方案作出高度评价,相关技术人员与行业同仁进行了友好交流。同...

分类:名企新闻 时间:2007/4/25 阅读:1171 关键词:IGBT变频器

泰科发布IGBT功率模块热仿真软件flowSIM 2.1

泰科电子(tycoelectronics)推出了的针对IGBT功率模块的损耗及热仿真软件flowSIM,该软件为泰科电子功率模块的选型提供了解决方案。flowSIM仿真软件可以应用于变频器,UPS以及基于SPWM调制的开关电源的设计中。它既可以

分类:新品快报 时间:2007/4/3 阅读:2632 关键词:IGBT

带反并联二极管IGBT中的二极管设计

引言反并联二极管的正确设计需要考虑各种因素。其中一些与自身技术相关,其它的与应用相关。但是,正向压降Vf、反向恢复电荷Qrr以及Rth与Zth散热能力最终将构成一种三角关系。由于在当前的二极管技术条件下,二极管芯片本身的尺寸已经被...

分类:业界要闻 时间:2007/3/27 阅读:2130 关键词:IGBT二极管

IGBT技术的发展历史和进展

IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输入阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同...

分类:业界要闻 时间:2007/3/2 阅读:359 关键词:IGBT

飞兆宣布推出1200V/15A NPT-Trench IGBT

(电子市场网讯)飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出1200V/15ANPT-TrenchIGBT,能够在电磁感应加热(IH)电器中耐受高达300mJ的雪崩能量;这种出色的雪崩性能有助于设备在非正常的雪崩模式情况下

分类:业界要闻 时间:2007/3/2 阅读:396 关键词:IGBT

IGBT的静态和动态特性

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,流过反向基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET,所以具有高输入

分类:业界要闻 时间:2007/1/17 阅读:944 关键词:IGBT

IGBT 的基本结构

绝缘栅双极晶体管本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个P型层。根据国际电工委员会IEC/TC(CO)1339文件建议,其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。图2-53所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构,N+区...

分类:业界要闻 时间:2007/1/16 阅读:1511 关键词:IGBT