Diodes公司作为业界知名的半导体分立元件制造商，近期推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30VN沟道及30V互补器件。这些双DFN3020MOSFET的电学性能与较大的
国际整流器公司(InternaTIonalRectifier，简称IR)宣布拓展了车用DirectFET2功率MOSFET系列。该系列具有非常出色的功率密度、双面冷却功能以及最小寄生电感和电阻，适用于重负载应用，包括电动助力转向系统、电源、混合动力
分类：新品快报 时间：2010/10/29 阅读：308 关键词：DirectFET2MOSFET
IR今天宣布拓展了针对低导通电阻（RDS(on)）应用的汽车用功率MOSFET专用系列，包括车载电源及内燃机(ICE)、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。新的MOSFET系列器件系列在55V的电压下可提供低达2.6mΩ的导通电阻，可以承受4
分类：新品快报 时间：2010/8/4 阅读：192 关键词：MOSFET
恩智浦半导体发布汽车级LFPAK功率SO-8 MOSFET系列产品
恩智浦半导体(NXPSemiconductors)近日成为发布以LFPAK为封装(一种紧凑型热增强无损耗的封装)全系列汽车功率MOSFET的供应商。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LFPAK
恩智浦发布了业界最全无损耗封装（LFPAK）功率SO-8 MOSFET系列产品
恩智浦半导体（NXPSemiconductors）近日成为发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOSFET的供应商。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LFPAK
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充公司市场的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS
2010年2月2日安森美半导体100VN沟道MOSFET系列新增具备大电流能力和强固负载性能的方案，经过100%雪崩测试的MOSFET提供业界的雪崩额定值，能承受电源和电机控制应用中的大电压尖峰。应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应
安森美半导体100V N沟道MOSFET系列新增具备大电流能力和强固负载性能的方案
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达5
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET——SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220FULLPAK)、SiHG20N50C，将该公司的6.2代N沟道平面F
VishayIntertechnology,Inc.日前宣布，推出首创将高、低MOSFET集成在同一封装内首款产品---SiZ700DT。该款器件的推出将有助于减少DC-DC转换器中高边和低边功率MOSFET所占的空间。SiZ700DT采用6mm×
Infineon宣布推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列
深圳举办的中国国际电源展览会上，英飞凌科技宣布推出OptiMOS375V功率MOSFET系列。全新推出的这个产品系列具备业内的导通电阻（RDS(on)）和品质因素（FOM,Qg*RDS(on)）特性，可在任何负载条件下，降低开关模式电源（SMP
Vishay推出首款采用TurboFET技术的第三代功率MOSFET系列
日前，VishayIntertechnology,Inc.推出两款20V和两款30Vn通道器件，从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%，从而大幅降低
全球的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)推出8款新的MOSFET器件，专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中，
分类：名企新闻 时间：2008/11/18 阅读：157 关键词：MOSFET
安森美半导体(ONSemiconductor)推出8款新的MOSFET器件，专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中，这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域
Vishay推出一款新型25Vn通道器件功率MOSFET系列SiR892DP和SiR850DPn
Vishay推出一款新型25Vn通道器件，从而扩展了其GenIIITrenchFET功率MOSFET系列，对于采用PowerPAKSO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。该SiR476D
