日前，意法半导体(STMicroelectronics,ST)为太阳能、电信及消费性电子应用领域的设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择而扩大采用第六代STripFET技术的高效功率MOSFET产品系列。的STripFETVIDeep
分类：新品快报 时间：2011/6/22 阅读：1371 关键词：MOSFET
对于需要提升系统效率并限度减少元件数目的高效AC-DC转换器等应用的设计人员来说，构建一个具备快速开关特性、更高效率和功率密度的现代电源系统是一项非常重要的指标。为了帮助设计人员应对这一挑战，全球的高性能功率和便携产品供应商...
分类：新品快报 时间：2011/6/7 阅读：311 关键词：MOSFET
Diodes公司作为业界知名的半导体分立元件制造商，近期推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30VN沟道及30V互补器件。这些双DFN3020MOSFET的电学性能与较大的
国际整流器公司(InternaTIonalRectifier，简称IR)宣布拓展了车用DirectFET2功率MOSFET系列。该系列具有非常出色的功率密度、双面冷却功能以及最小寄生电感和电阻，适用于重负载应用，包括电动助力转向系统、电源、混合动力
分类：新品快报 时间：2010/10/29 阅读：351 关键词：DirectFET2MOSFET
IR今天宣布拓展了针对低导通电阻（RDS(on)）应用的汽车用功率MOSFET专用系列，包括车载电源及内燃机(ICE)、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。新的MOSFET系列器件系列在55V的电压下可提供低达2.6mΩ的导通电阻，可以承受4
分类：新品快报 时间：2010/8/4 阅读：237 关键词：MOSFET
恩智浦半导体发布汽车级LFPAK功率SO-8 MOSFET系列产品
恩智浦半导体(NXPSemiconductors)近日成为发布以LFPAK为封装(一种紧凑型热增强无损耗的封装)全系列汽车功率MOSFET的供应商。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LFPAK
恩智浦发布了业界最全无损耗封装（LFPAK）功率SO-8 MOSFET系列产品
恩智浦半导体（NXPSemiconductors）近日成为发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOSFET的供应商。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LFPAK
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充公司市场的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS
2010年2月2日安森美半导体100VN沟道MOSFET系列新增具备大电流能力和强固负载性能的方案，经过100%雪崩测试的MOSFET提供业界的雪崩额定值，能承受电源和电机控制应用中的大电压尖峰。应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应
安森美半导体100V N沟道MOSFET系列新增具备大电流能力和强固负载性能的方案
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达5
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET——SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220FULLPAK)、SiHG20N50C，将该公司的6.2代N沟道平面F
VishayIntertechnology,Inc.日前宣布，推出首创将高、低MOSFET集成在同一封装内首款产品---SiZ700DT。该款器件的推出将有助于减少DC-DC转换器中高边和低边功率MOSFET所占的空间。SiZ700DT采用6mm×
Infineon宣布推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列
深圳举办的中国国际电源展览会上，英飞凌科技宣布推出OptiMOS375V功率MOSFET系列。全新推出的这个产品系列具备业内的导通电阻（RDS(on)）和品质因素（FOM,Qg*RDS(on)）特性，可在任何负载条件下，降低开关模式电源（SMP
Vishay推出首款采用TurboFET技术的第三代功率MOSFET系列
日前，VishayIntertechnology,Inc.推出两款20V和两款30Vn通道器件，从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%，从而大幅降低
全球的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)推出8款新的MOSFET器件，专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中，
分类：名企新闻 时间：2008/11/18 阅读：195 关键词：MOSFET
