东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布，推出栅驱动器开关IPD[1]“TPD7107F”。该产品可用于控制接线盒和车身控制模块等车载控制单元(ECU)的供电电流的通断，并计划于开始出货。 TPD7107F采用东芝的汽车级低导通电阻N沟道MOSF...
Mouser - 贸泽推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器高频应用的好选择
专注于引入新品并提供电子元器件分销商贸泽电子即日起开始备货Instruments (TI) 200 V半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓 (GaN) 电源产品系列，与传统硅替代方案相比，拥有更高的效率与功率密度，以及更小的整体系...
TI首款适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功能的隔离式栅极驱动器，可显著节约能耗，并为高压系统构筑坚强屏障
2019年3月18日，北京讯–德州仪器(TI)（纳斯达克代码:TXN）近日推出多款新型隔离式栅极驱动器。它们不仅能够提供出色的监控能力，还可为高压系统构筑坚强的保护屏障。UCC21...
分类：新品快报 时间：2019/3/21 阅读：858
意法半导体(ST)完整全桥系统封装内置MOSFET、栅驱动器和保护技术
意法半导体的 PWD13F60 系统封装(SiP)产品在一个13mm x 11mm的封装内集成一个完整的600V/8A单相MOSFET全桥电路，能够为工业电机驱控制器、灯具镇流器、电源、功率转换器和逆变器厂家节省物料成本和电路板空间。 不仅比采用分立...
分类：新品快报 时间：2018/1/4 阅读：376
Allegro发布集成有稳压器的全新三相MOSFET驱动器IC
Allegro MicroSystems，LLC推出一款全新的集成有低压差（LDO）稳压器的三相MOSFET驱动器IC A4919，这款产品专为范围广泛的工业应用而设计，能够提供5.0V或3.3V电压。A4919...
快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7004，该器件用高达 60V 的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关...
分类：新品快报 时间：2017/9/15 阅读：529
快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 LTC7004，该器件用高达 60V 的电源电压运...
ADI 旗下凌力尔特推出高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC700
电子网消息，亚德诺半导体 ( ) 旗下尔特公司 ( Linear ) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7004，该器件用高达 60V 的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部...
快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器,提供 100% 占空比能力
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器，该用高达 60V 的电源电压运...
分类：新品快报 时间：2017/9/8 阅读：773 关键词： ADIMOSFET 驱动器
Allegro MicroSystems 推出全新汽车级半桥MOSFET驱动器IC
Allegro MicroSystems，LLC宣布推出两款全新N沟道功率MOSFET驱动器IC，能够控制以半桥配置连接的MOSFET。Allegro的A4926和A4927专为具有高功率电感性负载的汽车应用而设计，可适用于直流泵（制动、油、水和燃料）、空调系统（HVAC）、螺...
分类：新品快报 时间：2017/8/23 阅读：510
Allegro MicroSystems，LLC推出两款全新N沟道功率MOSFET驱动器IC，能够控制以半桥配置连接的MOSFET。Allegro的A4926和A4927专为具有高功率电感性负载的汽车应用而设计，可...
Linear 推出快速 60V 保护的高压侧 N 沟道，MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧N 沟道 MOSFET 驱动器LTC7003，该器件可采用高达 60V 的电源电压工作。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开...
分类：新品快报 时间：2017/7/24 阅读：428
美高森美和Analog Devices公司在可扩展碳化硅MOSFET驱动器解决方案领域展开合作
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 和全球的高性能模拟技术提供商Analog Devices公司宣布推出可扩展碳化硅(SiC)驱动器参考设计...
分类：新品快报 时间：2017/7/13 阅读：956 关键词：美高森美
Linear 推出快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器LTC7001，该器件以高达 150V 电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，...
分类：新品快报 时间：2017/7/12 阅读：438 关键词：Linear
Linear推出150V快速高压侧受保护的N沟道MOSFET驱动器提供100% 占空比能力
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7000/-1，该器件采用高达 150V 的电源电压工作。其内部充电泵全面强化一个外部 N 沟道 MOS...
分类：新品快报 时间：2017/7/12 阅读：404 关键词：Linear
