英飞凌推出先进的OptiMOS功率MOSFET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容
小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司（...
分类：新品快报 时间：2023/8/4 阅读：458 关键词：英飞凌
ShinDengen -单个封装搭载两个第4代MOSFET器件的Dual MOSFET发售
新电元工业株式会社即将发售用于各种车载ECU的MOSFET“LF Dual”系列。 该系列在完美继承本公司原有产品低损耗、大电流特点的同时，通过在单个封装上搭载双器件，因而在车载电机驱动用、马达ECU（喷油器驱动）、防逆接逆流继电器等...
时间：2022/7/4 阅读：160 关键词：MOSFET
Onsemi USB-C电源套件包、第7代1200 V IGBT和二极管以及首款TOLL封装的650 V 碳化硅(SiC) MOSFET器件简化高能效电源方案的设计
领先于智能电源和智能感知技术的安森美，将在2022年5月10日至12日于德国纽伦堡举行的PCIM Europe推出一系列新的电源方案。 安森美在PCIM Europe的展台将呈现最新技术的现场演示，展示这些技术如何赋能开发领先市场的电动车...
时间：2022/6/28 阅读：225 关键词：USB-C电源
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出很新第四代600VE系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。VishaySiliconixn沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代6...
分类：新品快报 时间：2022/2/22 阅读：1895
罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构（650V / 1200V）的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装（TO-247-4L）型款，与传统3引脚封装类型（TO-247N）相比，可...
Vishay的第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内水平
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案，同时，...
分类：新品快报 时间：2019/3/11 阅读：645
MicrochipTechnologyInc宣布推出全新电源转换控制器系列及其功率MOSFET器件系列。全新脉宽调制(PWM)控制器与配套的低品质因数(FOM)MOSFET产品系列组合支持高效的DC/DC电源转换设计，几乎涵盖了所有的消费电子和
飞兆推出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ
飞兆半导体公司(Fairchild)开发出PowerTrenchMOSFET器件FDMB2307NZ。该器件具有能够大幅减小设计的外形尺寸，并提供了所需的高效率。FDMB2307NZ专门针对锂离子电池组保护电路和其它超便携应用而设计，具有N沟道共漏
分类：新品快报 时间：2011/12/30 阅读：1654 关键词：MOSFET
日前消息，据外媒报道，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新系列600V和650Vn沟道功率MOSFET---E系列器件。与前一代S系列器件相比，新的E系列技术使导通电阻降低了30%。根据应用的不同，这些产品可以提供更高的
为了满足高电流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)开发出用于MOSFET器件的DualCool封装，DualCool封装是采用崭新封装技术的顶部冷却PQFN器件，可以通过封装的顶部实现额外
分类：新品快报 时间：2010/10/27 阅读：413 关键词：MOSFET
俗话说“人无远虑必有近忧”。对于电子设计工程师，在项目开始之前、器件选型之初，就要做好充分考虑，选择Z适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。 功率MOSFET恐怕是工程师们Z常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型...
基础电子 时间：2021/10/27 阅读：434
在MOSFET器件的功率问题中如何采用反激转换器消除米勒效应
设计电源时，工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题。在出现较大RMS电流的情况下， 比如转换器在非连续导电模式（DCM）下工作时，若选择Rds（on）较小的MOSF...
设计应用 时间：2020/1/13 阅读：456
Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案...
新品速递 时间：2019/1/29 阅读：15468
Vishay的第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内水平
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案...
新品速递 时间：2019/1/28 阅读：616
英飞凌推出新型950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件
更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司推出CoolMOS? P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求：用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器、AUX电源和...
新品速递 时间：2018/8/27 阅读：813
导读：介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。...
技术方案 时间：2014/4/3 阅读：1824
基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究
摘要：绝缘体上硅（Silicon On Insulator,简称SOI）以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用Sentaurus TCAD软件中的SD...
设计应用 时间：2014/1/22 阅读：3391
高效的AC/DC SMPS与DC/DC转换器是现代功率架构的主干，用於驱动诸如电信或计算机此类系统。为了满足市场对这些转换器的需求，英飞凌科技推出了全新的100V MOSFET系列器件。该系列器件以电荷平衡为基础，可大幅度降低导通电阻。通过结合应...
其它 时间：2011/7/10 阅读：2935
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON)低于1mOhm的30VMOSFET器件，采用Power56封装，型号为FDMS7650。FDMS7650可以用作负载开关
新品速递 时间：2009/9/7 阅读：3161
Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列，推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封装，具有高功率处理和快速开关功能，可满足高效CCFL驱动器架构的要求。 Diodes 亚太区技术市...
新品速递 时间：2009/8/12 阅读：2609
