MRAM技术资料-维库电子市场网【第2页】

具有 10.8 Mbit 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 存储单元阵列的原型 MCU 测试芯片（采用 22 nm 嵌入式 MRAM 工艺制造）声称可以实现超过 200 MHz 的随机读取访问频率和 10.4 MB...

设计应用时间：2024/2/28 阅读：374

实时以及存储和转发机载处理应用程序越来越需要大量快速、非易失性存储器。虽然太空级 NAND 闪存提供千兆位 (Gb) 和太位 (Tb) 存储容量，但其速度、耐用性、数据保留以及错...

设计应用时间：2023/2/25 阅读：312

在如此庞大的资料储存、传输需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等传统记忆体已逐渐无法负荷，且再加上传统记忆体的制程微缩愈加困难的情况之下，驱使半导体产业转向发展更...

基础电子时间：2021/5/26 阅读：18171

总结　　一种新型自旋转移转矩磁阻存储器(STT-MRAM) IP为高性能嵌入式应用提供了一个有吸引力的选择。　　介绍　　如今，社会上广泛的应用程序都迫切需要嵌入式非易失性内存IP。　　embedded memory requirements　　然而，嵌入式非易失...

基础电子时间：2020/6/29 阅读：641

一.MRAM简介　　磁随机存储器（Magnetic random access memory，MRAM）是一种利用读取磁阻大小为原理的新型非易失性（Non-Volatile）随机存储器之一（图1）。与其他存储技...

设计应用时间：2018/10/16 阅读：1510

如今，除了逻辑元件和其他专用电路元件外，典型的微控制器（MCU）包括用作工作存储器的 SRAM 和用作储存存储器的闪存。当前业界遇到的闪存问题是，要将浮栅（FG）的制...

设计应用时间：2018/6/8 阅读：205

本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。　　铁电存储器(FeRAM)　　铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高...

基础电子时间：2010/8/31 阅读：2550

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁（IntegratedMagnetic）产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16MbMRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发

新品速递时间：2010/5/19 阅读：3030

MRAM内存技术利用磁矩存储位态，业已证明完全可以满足众多的商业应用。而型号为MR2A16A的存储器，具有许多独特的特征，可以适用于许多方面的应用。　　MRAM的特征　　4Mb的MR2A16A以256Kx16位配置进行排列。它采用异步设计，使用标准芯片...

基础电子时间：2010/5/13 阅读：3269

磁阻随机存取存储器（MRAM）产品的领先提供商飞思卡尔半导体日前为西门子工业自动化部门开发的工业触摸屏应用提供非易失性MRAM技术。飞思卡尔的4MbitMRAM器件已经集成到西门子SimaticMultipanelMP277和工业自动化系统使用的M

新品速递时间：2008/6/4 阅读：2689

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