U8726AHE 氮化镓电源 IC 集成高压 E - GaN 和启动电路优势
随着半导体技术的不断发展，芯片尺寸持续缩小。在这一过程中，一个关键问题逐渐凸显：电场强度会随芯片尺寸的减小而线性增加。若电源电压保持恒定，产生的电场强度极有可能...
设计应用 时间：2025/8/20 阅读：562
在当今时代，电力电子技术在过去几十年间经历了翻天覆地的变革，它彻底改变了电能生产、传输和消费的方式。在整个能源链中，传统单向开关（UDS）长期以来一直作为功率转换...
设计应用 时间：2025/7/14 阅读：464
氮化镓（GaN）作为一种 III - V 族半导体，近年来在开关模式电源（SMPS）领域展现出了卓越的性能，正逐渐从小众产品发展成为电力电子领域的关键角色。本文将深入阐释在开关...
设计应用 时间：2025/6/11 阅读：295
常规开关（例如MOSFET或IGBT）通常具有正导电状态和反向阻塞状态。例如，使用MOSFET主体二极管或与IGBT添加抗平行二极管，可以使用第三象限传导。这允许反向传导流，但没有...
设计应用 时间：2025/4/9 阅读：633
氮化镓（Gallium Nitride，简称 GaN）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电气性能和热性能，广泛应用于电子和光电子器件中。以下是氮化镓的基本特性和应用领域： 基本特性 宽禁带： GaN 具有较大的禁带宽度（约 3.4 eV），这使...
基础电子 时间：2024/8/23 阅读：609
氮化镓充电器和普通充电器之间的主要区别在于其功率转换元件所采用的材料和工作原理。具体来说，氮化镓充电器通常采用氮化镓（GaN）半导体器件，而普通充电器则通常采用硅（Si）半导体器件。 主要区别包括： 尺寸和重量：由于氮化...
基础电子 时间：2024/5/28 阅读：4529
随着技术的迅速发展，人们对电源的需求亦在不断攀升。为了可持续地推动这一发展，太阳能等可再生能源被越来越多地用于电网供电。同样，为了实现更快的数据处理、大数据存储...
设计应用 时间：2024/3/21 阅读：917
Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战 Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计...
设计应用 时间：2024/3/9 阅读：555
GAN，全称为氮化镓（Gallium Nitride），是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景。GAN氮化镓材料以其高电子迁移率、高热稳定性和优异的物理特性等优点而备受关注。下面是GAN氮化镓的一些基本信息： 特性 宽带隙：GAN具有宽的...
基础电子 时间：2024/2/21 阅读：688
氮化镓的优越材料特性推动了其在功率器件应用中的使用。横向高电子迁移率晶体管 （HEMT） 器件已在广泛的电压等级（主要是 650 V 及以下）上实现商业化。与具有类似额定电压的硅和碳化硅器件相比，GaN HEMT的高开关频率能力和更小的器件...
设计应用 时间：2023/3/15 阅读：687
