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Infineon-英飞凌推出用于高压应用的EasyPACKCoolGaN功率模块,进一步扩大其氮化镓功率产品组合

随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及,以及全球数字化和再工业化趋势的持续,预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出EasyPACKCoolGaN650 V晶体管模块,...

时间:2025/5/23 阅读:126 关键词:Infineon

英飞凌推出用于高压应用的EasyPACK CoolGaN 功率模块,进一步扩大其氮化镓功率产品组合

随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及,以及全球数字化和再工业化趋势的持续,预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战,英飞凌科技股份公司(FSE代码...

分类:新品快报 时间:2025/5/16 阅读:2017 关键词:英飞凌

我国发布全球首个氮化镓量子光源芯片

根据中国电子报道,目前,量子光源芯片多使用氮化硅等材料进行研制,而我国研究团队另辟蹊径,在国际上首次运用了氮化镓材料,通过攻克高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题,使芯片在输出波长范围等关键指标上取...

分类:业界动态 时间:2025/5/13 阅读:336 关键词:芯片

ST - 意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议

服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)与8英寸高性能低成本硅基氮化镓(GaN-on-Si)制造全球领军企业英诺赛科(香港联合交易所股票代码:02577.HK),共同宣...

时间:2025/4/10 阅读:124 关键词:意法半导体

CGD发布突破性100kW+技术,推动氮化镓(GaN)进军超100亿美元电动汽车逆变器市场

无晶圆厂环保科技半导体公司Cambridge GaN Devices(CGD)专注于开发高能效氮化镓(GaN)功率器件,致力于简化绿色电子产品的设计和实施。近日,CGD进一步公布了关于ICeGaN GaN 技术解决方案的详情,该方案 将助力公司进军功率超过100kW的...

时间:2025/3/18 阅读:70 关键词:CGD

Infineon - 英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术,推动行业变革

·凭借这一突破性的 300 mm GaN技术,英飞凌将推动GaN市场快速增长·利用现有的大规模300 mm硅制造设施,英飞凌将最大化GaN生产的资本效率·300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)...

时间:2025/2/24 阅读:69 关键词:英飞凌

Infineon - 英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率

功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布与总部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作关系,后者是兆赫级电容耦合谐振式功率传输技术的领导者。英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN GS6...

时间:2025/2/20 阅读:54 关键词:英飞凌

ROHM - 罗姆与台积电公司在车载氮化镓功率器件领域建立战略合作伙伴关系

ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)宣布与Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited(以下简称“台积公司”)就车载氮化镓功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。  通过该合作关系,双方将致力于将罗姆的氮化镓器...

时间:2025/2/17 阅读:70 关键词:功率器

英飞凌全新一代氮化镓产品重磅发布,电压覆盖700V!

作为第三代半导体材料的代表者,氮化镓(GaN)凭借其优异的电气性能、高热导率、电子饱和率和耐辐射性等特性,引领了全球功率半导体产业革新,随着氮化镓技术的不断成熟和应...

分类:新品快报 时间:2024/12/9 阅读:288 关键词:英飞凌

Infineon - 英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN 650 V G5晶体管,该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓(GaN)产品组合。该新产品系列的适用范围广泛,包括USB-C适配器和充电器、照明、电视...

时间:2024/11/26 阅读:92 关键词:英飞凌

英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN 650 V G5晶体管,该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓(GaN)产品组合。该新...

分类:新品快报 时间:2024/11/21 阅读:338 关键词:英飞凌

Power Integrations推出1700V氮化镓开关IC, 为氮化镓技术树立新标杆

深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出InnoMux-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN技术制造而成,是业界首款1700V氮化镓开...

时间:2024/11/13 阅读:134 关键词:氮化镓开关IC

氮化镓也要代工了?

日本功率器件大厂罗姆半导体(ROHM)公开表示,将在氮化镓功率半导体领域加强与台积电合作,公司旗下的氮化镓产品将全面委托台积电代工生产。  氮化镓是宽禁带半导体的“...

分类:业界动态 时间:2024/10/28 阅读:437 关键词:氮化镓

英飞凌宣布已成功开发出首项300 mm氮化镓

英飞凌科技股份公司昨日宣布,已成功开发出全球首项300 mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业...

分类:新品快报 时间:2024/9/12 阅读:485 关键词:英飞凌

Renesas -Transphorm GaN技术引领氮化镓革命

长期以来,宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型(D-mode)和增强型(E-mode)氮化镓。在设计电路时,人们倾向于使用增强型(E-mode)晶体管,但其实无论从性能、可靠性、多样性、可制造性以及实际用途方面...

时间:2024/7/23 阅读:96 关键词:GaN技术