12月3日，全球半导体行业迎来重要里程碑——英诺赛科与安森美半导体正式签署战略合作协议，双方将整合尖端技术资源，加速氮化镓（GaN）技术在新能源汽车、人工智能、数据中...
分类：业界动态 时间：2025/12/5 阅读：9070 关键词：安森美
XP Power-基于氮化镓的紧凑型65W至140W PD充电器，支持医疗和工业技术应用中的快速充电
XP Power宣布推出新款65W至140W适配器AC-DC电源PGW和PGD系列。这两个系列包括壁挂式（PGW65、PGW100）和台式（PGD100、PGD140）两种选项，旨在符合功率传输（PD）协议，适用于广泛的工业技术和BF级医疗应用。这些产品面向从事医疗、家庭...
时间：2025/12/3 阅读：232 关键词：XP Power
Infineon-英飞凌推出首款100V车规级晶体管，推动汽车领域氮化镓（GaN）技术创新
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布推出其首款符合汽车电子委员会（AEC）汽车应用标准的氮化镓（GaN）晶体管系列，继续朝着成为GaN技术领导企业的目标迈进，并进一步巩固了其全球汽车半导体领导者的地位。 英飞...
时间：2025/12/2 阅读：130 关键词：Infineon
Onsemi-安森美发布垂直氮化镓（GaN）半导体：为人工智能（AI）与电气化领域带来突破性技术
安森美基于全新GaN-on-GaN技术，其垂直GaN架构为功率密度、能效和耐用性树立新标杆 核心摘要 随着全球能源需求因AI数据中心、电动汽车以及其他高能耗应用而激增，安森美推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为相关应用的功率密度、...
时间：2025/11/14 阅读：171 关键词：Onsemi
在全球能源需求激增与能效挑战日益严峻的背景下，安森美半导体（Onsemi）近日发布了一项颠覆性的垂直氮化镓（vGaN）功率半导体技术，为人工智能数据中心、电动汽车和可再生能源等领域树立了新的性能标杆。 技术突破：从横向到垂直的跨...
分类：业界动态 时间：2025/11/3 阅读：2162
英飞凌近日宣布，其高性能氮化镓（GaN）功率器件IGD70R270D2S已成功应用于海信最新推出的43R7Q电视适配器。该产品凭借高效、轻薄、低温等优势，显著提升了电视电源方案的性能，为消费者带来更节能、更紧凑的体验，同时推动电视行业向绿色...
分类：新品快报 时间：2025/10/31 阅读：20349 关键词：电视适配器
Power Integrations推出太阳能赛车专用参考设计，采用高效率氮化镓芯片
PowiGaN在轻载和满载时均实现95%高效率，满足关键的运行和安全功能需求 Power Integrations推出一款专为太阳能赛车量身定制的参考设计套件。该套件型号为RDK-85SLR，采用了PI公司一款集成PowiGaN氮化镓技术的芯片InnoSwitch 3-AQ。其...
时间：2025/9/18 阅读：463
Infineon-英飞凌与零极创新签署谅解备忘录，共同开发用于轻型电动车的高性能氮化镓（GaN）逆变器
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布与九号公司（Ninebot）旗下子公司零极创新科技有限公司签署谅解备忘录，双方将进一步推动氮化镓（GaN）技术在轻型电动车（LEV）领域的应...
时间：2025/9/17 阅读：472 关键词：Infineon
韩国 ChipScale 成功量产 650V 氮化镓功率半导体
韩国半导体公司 ChipScale 宣布取得重大突破，成功量产 650V 氮化镓功率半导体，成为韩国首家达成该技术量产的企业。 ChipScale 是一家位于京畿道的无晶圆厂半导体公司...
分类：业界动态 时间：2025/8/26 阅读：614 关键词：氮化镓功率半导体
Power Integrations 推太阳能赛车参考设计，氮化镓芯片助力高效运行
Power Integrations 公司，宣布了一项令人瞩目的消息 —— 推出一款专门为太阳能赛车打造的参考设计套件 RDK - 85SLR。此时，距离 8 月 24 日即将拉开帷幕的普利司通世界太...
分类：新品快报 时间：2025/8/25 阅读：1774 关键词：氮化镓芯片
U8726AHE 氮化镓电源 IC 集成高压 E - GaN 和启动电路优势
随着半导体技术的不断发展，芯片尺寸持续缩小。在这一过程中，一个关键问题逐渐凸显：电场强度会随芯片尺寸的减小而线性增加。若电源电压保持恒定，产生的电场强度极有可能...
设计应用 时间：2025/8/20 阅读：562
在当今时代，电力电子技术在过去几十年间经历了翻天覆地的变革，它彻底改变了电能生产、传输和消费的方式。在整个能源链中，传统单向开关（UDS）长期以来一直作为功率转换...
设计应用 时间：2025/7/14 阅读：464
氮化镓（GaN）作为一种 III - V 族半导体，近年来在开关模式电源（SMPS）领域展现出了卓越的性能，正逐渐从小众产品发展成为电力电子领域的关键角色。本文将深入阐释在开关...
设计应用 时间：2025/6/11 阅读：295
常规开关（例如MOSFET或IGBT）通常具有正导电状态和反向阻塞状态。例如，使用MOSFET主体二极管或与IGBT添加抗平行二极管，可以使用第三象限传导。这允许反向传导流，但没有...
设计应用 时间：2025/4/9 阅读：633
氮化镓（Gallium Nitride，简称 GaN）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电气性能和热性能，广泛应用于电子和光电子器件中。以下是氮化镓的基本特性和应用领域： 基本特性 宽禁带： GaN 具有较大的禁带宽度（约 3.4 eV），这使...
基础电子 时间：2024/8/23 阅读：609
氮化镓充电器和普通充电器之间的主要区别在于其功率转换元件所采用的材料和工作原理。具体来说，氮化镓充电器通常采用氮化镓（GaN）半导体器件，而普通充电器则通常采用硅（Si）半导体器件。 主要区别包括： 尺寸和重量：由于氮化...
基础电子 时间：2024/5/28 阅读：4526
随着技术的迅速发展，人们对电源的需求亦在不断攀升。为了可持续地推动这一发展，太阳能等可再生能源被越来越多地用于电网供电。同样，为了实现更快的数据处理、大数据存储...
设计应用 时间：2024/3/21 阅读：917
Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战 Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计...
设计应用 时间：2024/3/9 阅读：555
GAN，全称为氮化镓（Gallium Nitride），是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景。GAN氮化镓材料以其高电子迁移率、高热稳定性和优异的物理特性等优点而备受关注。下面是GAN氮化镓的一些基本信息： 特性 宽带隙：GAN具有宽的...
基础电子 时间：2024/2/21 阅读：688
氮化镓的优越材料特性推动了其在功率器件应用中的使用。横向高电子迁移率晶体管 （HEMT） 器件已在广泛的电压等级（主要是 650 V 及以下）上实现商业化。与具有类似额定电压的硅和碳化硅器件相比，GaN HEMT的高开关频率能力和更小的器件...
设计应用 时间：2023/3/15 阅读：687
