英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN 650 V G5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。该新...
分类：新品快报 时间：2024/11/21 阅读：105 关键词：英飞凌
Power Integrations推出1700V氮化镓开关IC， 为氮化镓技术树立新标杆
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出InnoMux-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN技术制造而成，是业界首款1700V氮化镓开...
时间：2024/11/13 阅读：19 关键词：氮化镓开关IC
英飞凌科技股份公司昨日宣布，已成功开发出全球首项300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业...
分类：新品快报 时间：2024/9/12 阅读：419 关键词：英飞凌
Renesas -Transphorm GaN技术引领氮化镓革命
长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型（D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电路时，人们倾向于使用增强型（E-mode）晶体管，但其实无论从性能、可靠性、多样性、可制造性以及实际用途方面...
时间：2024/7/23 阅读：57 关键词：GaN技术
Renesas ——Transphorm GaN技术引领氮化镓革命
*瑞萨电子已于2024年6月20日完成对Transphorm的收购，以下为中电网于收购完成之前对Transphorm的采访文章。 长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下--常闭耗尽型（D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电...
时间：2024/7/19 阅读：49 关键词：半导体
氮化镓在5G应用中有哪些技术突破？记者专访国家科学技术进步一等奖项目完成人、三安光电副总经理林志东
全国科技大会、国家科学技术奖励大会、两院院士大会在北京举行。由西安电子科技大学、中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、厦门市三安集成电路有限公...
分类：行业访谈 时间：2024/6/27 阅读：561 关键词：5G应用
德州仪器推出适用于250W电机驱动器的650V 三相 GaN IPM（智能电源模块）DRV7308，这是德州仪器首次推出采用氮化镓材料的智能电源模块。相较于硅基IGBT和MOSFET，该产品实现...
分类：新品快报 时间：2024/6/20 阅读：461 关键词：德州仪器
Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产 该笔交易有利于高电压、高功率氮化镓技术的持续发展
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今天宣布达成协议，收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies（OTCQB场外交易代码：ODII）的资产。这项交易...
时间：2024/5/20 阅读：50 关键词：电子
Transphorm与伟诠电子合作推出新款集成型SiP氮化镓器件
全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.（伟诠电子，TWSE：2436）今日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件（SiP），与去年...
时间：2024/4/30 阅读：70 关键词：电子
氮化镓（Gallium Nitride，简称 GaN）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电气性能和热性能，广泛应用于电子和光电子器件中。以下是氮化镓的基本特性和应用领域： 基本特性 宽禁带： GaN 具有较大的禁带宽度（约 3.4 eV），这使...
基础电子 时间：2024/8/23 阅读：320
氮化镓充电器和普通充电器之间的主要区别在于其功率转换元件所采用的材料和工作原理。具体来说，氮化镓充电器通常采用氮化镓（GaN）半导体器件，而普通充电器则通常采用硅（Si）半导体器件。 主要区别包括： 尺寸和重量：由于氮化...
基础电子 时间：2024/5/28 阅读：2834
随着技术的迅速发展，人们对电源的需求亦在不断攀升。为了可持续地推动这一发展，太阳能等可再生能源被越来越多地用于电网供电。同样，为了实现更快的数据处理、大数据存储...
设计应用 时间：2024/3/21 阅读：784
Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战 Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计...
设计应用 时间：2024/3/9 阅读：388
GAN，全称为氮化镓（Gallium Nitride），是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景。GAN氮化镓材料以其高电子迁移率、高热稳定性和优异的物理特性等优点而备受关注。下面是GAN氮化镓的一些基本信息： 特性 宽带隙：GAN具有宽的...
基础电子 时间：2024/2/21 阅读：368
氮化镓的优越材料特性推动了其在功率器件应用中的使用。横向高电子迁移率晶体管 （HEMT） 器件已在广泛的电压等级（主要是 650 V 及以下）上实现商业化。与具有类似额定电压的硅和碳化硅器件相比，GaN HEMT的高开关频率能力和更小的器件...
设计应用 时间：2023/3/15 阅读：533
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ氮化镓场效应晶体管
quan球行业ling先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓（eGaN?）功率场效应晶体管和集成电路，zui新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。 E...
新品速递 时间：2022/5/17 阅读：399
意法半导体首款氮化镓功率转换器瞄准下一代50W高能效电源设计
VIPERGAN50是意法半导体VIPerPLUS系列首款可在宽工作电压（9 V至23 V）下提供高达50W功率的产品。这也是ST首款采用氮化镓(GaN)晶体管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件，VIPERGAN50在自适应间歇工作模式(burstmode) 开启的情况下，待机功...
设计应用 时间：2022/5/13 阅读：318
EPC新推350 V氮化镓功率晶体管，比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化镓功率晶体管EPC2050专为功率系统设计人员而设计，在极小的芯片级封装中，实现350 V、80 mΩzui大RDS(on)和26 A 峰值电流，是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和LED 照明的理想器件。 宜普电源转换公司（EPC）...
新品速递 时间：2022/4/11 阅读：678
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项技术将功率级尽可能提高（和降低）。 氮化镓在任...
新品速递 时间：2019/5/17 阅读：909
