Infineon - 英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革
·凭借这一突破性的 300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长·利用现有的大规模300 mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率·300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）...
时间：2025/2/24 阅读：39 关键词：英飞凌
Infineon - 英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布与总部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作关系，后者是兆赫级电容耦合谐振式功率传输技术的领导者。英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN GS6...
时间：2025/2/20 阅读：23 关键词：英飞凌
ROHM - 罗姆与台积电公司在车载氮化镓功率器件领域建立战略合作伙伴关系
ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）宣布与Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited（以下简称“台积公司”）就车载氮化镓功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。 通过该合作关系，双方将致力于将罗姆的氮化镓器...
时间：2025/2/17 阅读：32 关键词：功率器
作为第三代半导体材料的代表者，氮化镓(GaN)凭借其优异的电气性能、高热导率、电子饱和率和耐辐射性等特性，引领了全球功率半导体产业革新，随着氮化镓技术的不断成熟和应...
分类：新品快报 时间：2024/12/9 阅读：262 关键词：英飞凌
Infineon - 英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN 650 V G5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。该新产品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视...
时间：2024/11/26 阅读：66 关键词：英飞凌
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN 650 V G5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。该新...
分类：新品快报 时间：2024/11/21 阅读：308 关键词：英飞凌
Power Integrations推出1700V氮化镓开关IC， 为氮化镓技术树立新标杆
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出InnoMux-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN技术制造而成，是业界首款1700V氮化镓开...
时间：2024/11/13 阅读：87 关键词：氮化镓开关IC
英飞凌科技股份公司昨日宣布，已成功开发出全球首项300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业...
分类：新品快报 时间：2024/9/12 阅读：443 关键词：英飞凌
Renesas -Transphorm GaN技术引领氮化镓革命
长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型（D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电路时，人们倾向于使用增强型（E-mode）晶体管，但其实无论从性能、可靠性、多样性、可制造性以及实际用途方面...
时间：2024/7/23 阅读：72 关键词：GaN技术
氮化镓（Gallium Nitride，简称 GaN）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电气性能和热性能，广泛应用于电子和光电子器件中。以下是氮化镓的基本特性和应用领域： 基本特性 宽禁带： GaN 具有较大的禁带宽度（约 3.4 eV），这使...
基础电子 时间：2024/8/23 阅读：358
氮化镓充电器和普通充电器之间的主要区别在于其功率转换元件所采用的材料和工作原理。具体来说，氮化镓充电器通常采用氮化镓（GaN）半导体器件，而普通充电器则通常采用硅（Si）半导体器件。 主要区别包括： 尺寸和重量：由于氮化...
基础电子 时间：2024/5/28 阅读：3759
随着技术的迅速发展，人们对电源的需求亦在不断攀升。为了可持续地推动这一发展，太阳能等可再生能源被越来越多地用于电网供电。同样，为了实现更快的数据处理、大数据存储...
设计应用 时间：2024/3/21 阅读：805
Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战 Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计...
设计应用 时间：2024/3/9 阅读：412
GAN，全称为氮化镓（Gallium Nitride），是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景。GAN氮化镓材料以其高电子迁移率、高热稳定性和优异的物理特性等优点而备受关注。下面是GAN氮化镓的一些基本信息： 特性 宽带隙：GAN具有宽的...
基础电子 时间：2024/2/21 阅读：418
氮化镓的优越材料特性推动了其在功率器件应用中的使用。横向高电子迁移率晶体管 （HEMT） 器件已在广泛的电压等级（主要是 650 V 及以下）上实现商业化。与具有类似额定电压的硅和碳化硅器件相比，GaN HEMT的高开关频率能力和更小的器件...
设计应用 时间：2023/3/15 阅读：548
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ氮化镓场效应晶体管
quan球行业ling先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓（eGaN?）功率场效应晶体管和集成电路，zui新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。 E...
新品速递 时间：2022/5/17 阅读：420
意法半导体首款氮化镓功率转换器瞄准下一代50W高能效电源设计
VIPERGAN50是意法半导体VIPerPLUS系列首款可在宽工作电压（9 V至23 V）下提供高达50W功率的产品。这也是ST首款采用氮化镓(GaN)晶体管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件，VIPERGAN50在自适应间歇工作模式(burstmode) 开启的情况下，待机功...
设计应用 时间：2022/5/13 阅读：331
EPC新推350 V氮化镓功率晶体管，比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化镓功率晶体管EPC2050专为功率系统设计人员而设计，在极小的芯片级封装中，实现350 V、80 mΩzui大RDS(on)和26 A 峰值电流，是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和LED 照明的理想器件。 宜普电源转换公司（EPC）...
新品速递 时间：2022/4/11 阅读：693
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项技术将功率级尽可能提高（和降低）。 氮化镓在任...
新品速递 时间：2019/5/17 阅读：926
