Infineon-作为领先的垂直整合制造商（IDM），英飞凌在300mm氮化镓生产路线图方面取得突破
随着氮化镓（GaN，以下同）半导体需求的持续增长，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）正抓住这一趋势，巩固其作为GaN市场领先垂直整合制造商（IDM，以下同）的地位。近日，公司宣布其在300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步...
时间：2025/7/17 阅读：43 关键词：Infineon
ROHM 罗姆回应台积电 2027 年退出氮化镓业务：目前暂无重大冲击
据纳微半导体 Navitas 提供的文件显示，全球半导体代工巨头台积电计划于 2027 年 7 月终止氮化镓（GaN）晶圆的生产。日本半导体制造商 ROHM 罗姆也是台积电在氮化镓领域的合作伙伴，且已在 650V 工艺平台上推出了相关产品。日媒 EE Times...
分类：名企新闻 时间：2025/7/8 阅读：181 关键词：ROHM
据纳微半导体 Navitas 向美国证券交易委员 SEC 递交的 FORM 8 - K 文件以及 7 月 1 日发布的新闻稿显示，该公司目前唯一的氮化镓（GaN）晶圆供应商台积电，计划于两年后的 ...
分类：名企新闻 时间：2025/7/3 阅读：541 关键词：台积电
Infineon-英飞凌推出用于高压应用的EasyPACKCoolGaN功率模块，进一步扩大其氮化镓功率产品组合
随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出EasyPACKCoolGaN650 V晶体管模块，...
时间：2025/5/23 阅读：139 关键词：Infineon
英飞凌推出用于高压应用的EasyPACK CoolGaN 功率模块，进一步扩大其氮化镓功率产品组合
随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码...
分类：新品快报 时间：2025/5/16 阅读：2038 关键词：英飞凌
根据中国电子报道，目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料进行研制，而我国研究团队另辟蹊径，在国际上首次运用了氮化镓材料，通过攻克高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，使芯片在输出波长范围等关键指标上取...
分类：业界动态 时间：2025/5/13 阅读：357 关键词：芯片
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 （STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM）与8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造全球领军企业英诺赛科（香港联合交易所股票代码:02577.HK），共同宣...
时间：2025/4/10 阅读：129 关键词：意法半导体
CGD发布突破性100kW+技术，推动氮化镓（GaN）进军超100亿美元电动汽车逆变器市场
无晶圆厂环保科技半导体公司Cambridge GaN Devices(CGD)专注于开发高能效氮化镓（GaN）功率器件，致力于简化绿色电子产品的设计和实施。近日，CGD进一步公布了关于ICeGaN GaN 技术解决方案的详情，该方案 将助力公司进军功率超过100kW的...
时间：2025/3/18 阅读：79 关键词：CGD
Infineon - 英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革
·凭借这一突破性的 300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长·利用现有的大规模300 mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率·300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）...
时间：2025/2/24 阅读：79 关键词：英飞凌
Infineon - 英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布与总部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作关系，后者是兆赫级电容耦合谐振式功率传输技术的领导者。英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN GS6...
时间：2025/2/20 阅读：60 关键词：英飞凌
在当今时代，电力电子技术在过去几十年间经历了翻天覆地的变革，它彻底改变了电能生产、传输和消费的方式。在整个能源链中，传统单向开关（UDS）长期以来一直作为功率转换...
设计应用 时间：2025/7/14 阅读：87
氮化镓（GaN）作为一种 III - V 族半导体，近年来在开关模式电源（SMPS）领域展现出了卓越的性能，正逐渐从小众产品发展成为电力电子领域的关键角色。本文将深入阐释在开关...
设计应用 时间：2025/6/11 阅读：197
常规开关（例如MOSFET或IGBT）通常具有正导电状态和反向阻塞状态。例如，使用MOSFET主体二极管或与IGBT添加抗平行二极管，可以使用第三象限传导。这允许反向传导流，但没有...
设计应用 时间：2025/4/9 阅读：510
氮化镓（Gallium Nitride，简称 GaN）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电气性能和热性能，广泛应用于电子和光电子器件中。以下是氮化镓的基本特性和应用领域： 基本特性 宽禁带： GaN 具有较大的禁带宽度（约 3.4 eV），这使...
基础电子 时间：2024/8/23 阅读：433
氮化镓充电器和普通充电器之间的主要区别在于其功率转换元件所采用的材料和工作原理。具体来说，氮化镓充电器通常采用氮化镓（GaN）半导体器件，而普通充电器则通常采用硅（Si）半导体器件。 主要区别包括： 尺寸和重量：由于氮化...
基础电子 时间：2024/5/28 阅读：3933
随着技术的迅速发展，人们对电源的需求亦在不断攀升。为了可持续地推动这一发展，太阳能等可再生能源被越来越多地用于电网供电。同样，为了实现更快的数据处理、大数据存储...
设计应用 时间：2024/3/21 阅读：840
Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战 Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计...
设计应用 时间：2024/3/9 阅读：467
GAN，全称为氮化镓（Gallium Nitride），是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景。GAN氮化镓材料以其高电子迁移率、高热稳定性和优异的物理特性等优点而备受关注。下面是GAN氮化镓的一些基本信息： 特性 宽带隙：GAN具有宽的...
基础电子 时间：2024/2/21 阅读：502
氮化镓的优越材料特性推动了其在功率器件应用中的使用。横向高电子迁移率晶体管 （HEMT） 器件已在广泛的电压等级（主要是 650 V 及以下）上实现商业化。与具有类似额定电压的硅和碳化硅器件相比，GaN HEMT的高开关频率能力和更小的器件...
设计应用 时间：2023/3/15 阅读：590
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ氮化镓场效应晶体管
quan球行业ling先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓（eGaN?）功率场效应晶体管和集成电路，zui新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。 E...
新品速递 时间：2022/5/17 阅读：460
