安森美（onsemi）宣布推出全新GaNEXUS氮化镓（GaN）功率产品组合。该系列专为在人工智能（AI）数据中心、工业自动化、机器人及能源基础设施等应用中实现更高能效、更高功率...
分类：新品快报 时间：2026/6/12 阅读：19653 关键词：安森美
WPG-氮化镓+MCU赋能高效OBC：大联大诠鼎与英飞凌共探车载电源新趋势
大联大控股旗下诠鼎集团宣布，携手英飞凌成功举办“CoolGaN 车规级氮化镓与AURIX TC4x在车载OBC电源解决方案”线上研讨会。本次活动聚焦英飞凌CoolGaN 车规级氮化镓与AURIX TC4x多核MCU的整合应用，结合原厂观点与实际量产案例，帮助客户...
时间：2026/5/27 阅读：108 关键词：WPG
英特尔突破技术边界：全球最薄19μm氮化镓芯片问世，重塑半导体产业格局
2026年4月9日，半导体行业迎来里程碑式突破——英特尔代工服务（Intel Foundry）宣布成功研发全球首款厚度仅19微米的氮化镓（GaN）芯粒，并亮相2025年IEEE国际电子器件会议（IEDM）。这一成果不仅刷新了半导体器件的物理极限，更通过集成...
分类：业界动态 时间：2026/4/9 阅读：7671
Infineon-英飞凌发布《2026年GaN技术展望》：技术创新引领功率半导体领域氮化镓高速增长
至2030年，氮化镓（GaN）市场规模预计将达到30亿美元，年复合增长率高达44% 英飞凌高压GaN双向开关采用变革性的共漏极设计与双栅极结构 GaN功率半导体拓展至AI、机器人、量子计算等新兴市场 氮化镓（GaN）电源解决方案的普及正...
时间：2026/3/16 阅读：401 关键词：Infineon
Infineon-英飞凌推出集成式半桥解决方案CoolGaN Drive HB 600 V G5，进一步提升氮化镓的易用性
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN Drive HB 600 V G5产品系列，进一步扩大了其CoolGaN 产品组合。四款新产品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60...
时间：2026/3/12 阅读：128 关键词：Infineon
此次合作拓展了安森美功率产品组合，涵盖面向AI数据中心、汽车、航空航天及其他关键市场的高性能650V横向氮化镓（GaN）解决方案。 概要： 安森美（onsemi）与格罗方德（GlobalFoundries,GF）达成全新合作协议，进一步巩固其在智能...
时间：2026/2/4 阅读：215 关键词：Onsemi
12月3日，全球半导体行业迎来重要里程碑——英诺赛科与安森美半导体正式签署战略合作协议，双方将整合尖端技术资源，加速氮化镓（GaN）技术在新能源汽车、人工智能、数据中...
分类：业界动态 时间：2025/12/5 阅读：9282 关键词：安森美
XP Power-基于氮化镓的紧凑型65W至140W PD充电器，支持医疗和工业技术应用中的快速充电
XP Power宣布推出新款65W至140W适配器AC-DC电源PGW和PGD系列。这两个系列包括壁挂式（PGW65、PGW100）和台式（PGD100、PGD140）两种选项，旨在符合功率传输（PD）协议，适用于广泛的工业技术和BF级医疗应用。这些产品面向从事医疗、家庭...
时间：2025/12/3 阅读：395 关键词：XP Power
Infineon-英飞凌推出首款100V车规级晶体管，推动汽车领域氮化镓（GaN）技术创新
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布推出其首款符合汽车电子委员会（AEC）汽车应用标准的氮化镓（GaN）晶体管系列，继续朝着成为GaN技术领导企业的目标迈进，并进一步巩固了其全球汽车半导体领导者的地位。 英飞...
时间：2025/12/2 阅读：275 关键词：Infineon
Onsemi-安森美发布垂直氮化镓（GaN）半导体：为人工智能（AI）与电气化领域带来突破性技术
安森美基于全新GaN-on-GaN技术，其垂直GaN架构为功率密度、能效和耐用性树立新标杆 核心摘要 随着全球能源需求因AI数据中心、电动汽车以及其他高能耗应用而激增，安森美推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为相关应用的功率密度、...
时间：2025/11/14 阅读：299 关键词：Onsemi
在通信射频领域，传统基站射频功率放大器大多选用 LDMOS 管子，以追求性价比。然而，随着工程师们对整机性能的要求不断提高，高性能氮化镓（GaN）器件、碳化硅基氮化镓功放等新方案逐渐成为首选。但 GaN 器件与常规 LDMOS 场效应管存在显...
基础电子 时间：2026/7/2 阅读：274
U8726AHE 氮化镓电源 IC 集成高压 E - GaN 和启动电路优势
随着半导体技术的不断发展，芯片尺寸持续缩小。在这一过程中，一个关键问题逐渐凸显：电场强度会随芯片尺寸的减小而线性增加。若电源电压保持恒定，产生的电场强度极有可能...
设计应用 时间：2025/8/20 阅读：711
在当今时代，电力电子技术在过去几十年间经历了翻天覆地的变革，它彻底改变了电能生产、传输和消费的方式。在整个能源链中，传统单向开关（UDS）长期以来一直作为功率转换...
设计应用 时间：2025/7/14 阅读：591
氮化镓（GaN）作为一种 III - V 族半导体，近年来在开关模式电源（SMPS）领域展现出了卓越的性能，正逐渐从小众产品发展成为电力电子领域的关键角色。本文将深入阐释在开关...
设计应用 时间：2025/6/11 阅读：385
常规开关（例如MOSFET或IGBT）通常具有正导电状态和反向阻塞状态。例如，使用MOSFET主体二极管或与IGBT添加抗平行二极管，可以使用第三象限传导。这允许反向传导流，但没有...
设计应用 时间：2025/4/9 阅读：732
氮化镓（Gallium Nitride，简称 GaN）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电气性能和热性能，广泛应用于电子和光电子器件中。以下是氮化镓的基本特性和应用领域： 基本特性 宽禁带： GaN 具有较大的禁带宽度（约 3.4 eV），这使...
基础电子 时间：2024/8/23 阅读：746
氮化镓充电器和普通充电器之间的主要区别在于其功率转换元件所采用的材料和工作原理。具体来说，氮化镓充电器通常采用氮化镓（GaN）半导体器件，而普通充电器则通常采用硅（Si）半导体器件。 主要区别包括： 尺寸和重量：由于氮化...
基础电子 时间：2024/5/28 阅读：4756
随着技术的迅速发展，人们对电源的需求亦在不断攀升。为了可持续地推动这一发展，太阳能等可再生能源被越来越多地用于电网供电。同样，为了实现更快的数据处理、大数据存储...
设计应用 时间：2024/3/21 阅读：976
Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战 Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计...
设计应用 时间：2024/3/9 阅读：619
GAN，全称为氮化镓（Gallium Nitride），是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景。GAN氮化镓材料以其高电子迁移率、高热稳定性和优异的物理特性等优点而备受关注。下面是GAN氮化镓的一些基本信息： 特性 宽带隙：GAN具有宽的...
基础电子 时间：2024/2/21 阅读：840
