半导体碳化硅（4H - SiC）材料凭借其宽禁带、高电子迁移率、高临界击穿电场以及高热导率等优异特性，在高频、高功率电子器件领域得到了广泛应用，在新能源汽车、智能电网、5G 通信等行业中展现出了广阔的发展前景。现代电力电子技术的飞...
基础电子 时间：2026/9/4 阅读：248
张红娣，刘彩池(河北工业大学半导体材料研究所，天津 300130)摘要：对国内外在重掺硅中氧沉淀方面的研究做了综合阐述，对氧沉淀研究现状和存在问题进行了讨同时就热处理，掺杂剂对氧沉淀的影响做了浅析，使人们对重掺硅衬底中氧沉淀这一...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：2519
课程内容：1硅单晶的切割1.1工艺作用1.2切割原理1.3切割设备1.4切割方法1.5切割要求1.5.1硅片厚度1.5.2硅片两面平行度1.5.3硅片厚度公差1.6注意事项2研磨工艺2.1研磨的作用2.2研磨的方法2.2.1单面研磨2.2.2双面研
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：3310
