光电池

光电池技术

Tcc系列硅紫蓝光电池主要特性参数

Tcc系列硅紫蓝光电池主要特性参数

基础电子 时间:2008/4/23 阅读:2096

2CR系列硅蓝光电池主要特性参数

2CR系列硅蓝光电池主要特性参数

基础电子 时间:2008/4/23 阅读:1727

Tcc系列硅光电池主要参数表

表:Tcc系列硅光电池主要参数

基础电子 时间:2008/4/23 阅读:2317

2CR系列圆形硅光电池主要参数

2CR系列圆形硅光电池主要参数

基础电子 时间:2008/4/23 阅读:2696

2cR系列矩形硅光电池参数

该系列为大面积PN结型硅光电池,表面有SiO2抗反射膜,并有银材料外引线,它们的外形如图所示。2CR系列矩形电池适合作光电检测元件,在光电开关、近红外探测器、光电镭合器、电影设备以及光栅测距器上均有应用。其主要参数见表。 ...

基础电子 时间:2008/4/23 阅读:3238

使用硅光电池时应注意的事项

使用硅光电池时应注意以下事项:①硅光电池的输出特性与负载有关。在一定光照条件下,当负载很小时,硅光电池的输出电流趋近于短路电流;而在负载很小时,输出电压则趋于开路电压。因此,在使用硅光电池时,只有确定好负载电阻为某一数值时...

基础电子 时间:2008/4/23 阅读:2850

硅光电池的主要参数表

①开路电压Voc:在一定光照下,硅光电池俩输出端开路时,所产生的光电子电压。②短路电流ISc:在一定光照下,硅光电池所接负载电阻为零时,流过硅光电池的电流。③暗电流ID:在无光照的条件下,在硅光电池两端施加反向电压时所产生的电流。...

基础电子 时间:2008/4/23 阅读:5118

硅光电池的结构及工作原理

硅光电池是一种能将光能直接转换成电能的半导体器件,其结构如图所示。它实质上是一个大面积的半导体PN结。硅光电池的基体材料为一薄片P型单晶硅,其厚度在0.44mm以栅状电极下,在它的表面上利用热扩散法生成一层N型受光层,基体和受光层...

基础电子 时间:2008/4/23 阅读:14612

硅光电池的检测

1)测量硅光电池对光的敏感度将万用表置于直流电压挡1OV量程上,万用表的红表笔接证极,黑表笔接负极,以25W白炽灯作为光源,让硅光电池距白炽灯为0.O5m、O.5m、1m的三个距离时,测其电池的开路电压,则可得到3.5V、1.8V、0.9V的三个电

基础电子 时间:2008/4/11 阅读:2338

硅光电池的选用与使用方法

硅光电池的选用与使用。  1)硅光电池的寿命很长,性能很稳定,但是要注意保护,不能受机械损伤,一旦电池破碎就无法再使用了。  2)硅光电池不能受潮,也不能沾油污,否则将使抗反射膜脱落。  3)应避免用白炽灯的光源长时间照射硅光...

基础电子 时间:2008/4/8 阅读:5904