离子注入工艺就是用高能离子注入设各把具有一定能量的带电粒子掺入到半导体材料中，从而改变半导体材料的电学性质和光学性质。离子从上DBR处注入，与晶体内的电子和原子核...
基础电子 时间：2008/12/3 阅读：4534
离子注入技术是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性高新技术。其基本原理是：用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：1777
课程内容：1离子注入及其原理1.1离子注入掺杂1.2离子注入设备及工作原理1.2.1离子源1.2.2初聚系统1.2.3磁分析器1.2.4加速器1.2.5扫描器1.2.6偏束板1.2.7靶室1.3离子注入的杂质分布曲线1.3.1离子注入杂质分布的峰值
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：2930
离散二极管和晶体管能在晶体生长的时候在硅ingot里形成结而生产出来。假设硅ingot开始的时候是P型晶体。经过短暂的生长后，通过加入控制量的磷melt被反向掺杂。继续的晶体生长会产生一个嵌入ingot的PN结。连续的反掺杂能在晶体里产生多个...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：1766
由于传统扩散技术的限制性，现代工艺大量使用了离子注入。 离子注入机是一种特殊的粒子加速器，用来加速杂质原子，使他们能穿透硅晶体到达几微米的深度。（16 注入深度和注入能量有关。 本节讨论的注入涉及到的能量不超过几百keV。一些现...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：2176
岳喜成（宝鸡文理学院物理系，陕西宝鸡721007）摘要：离子注入聚合物（在一定的能量和一定的剂量），可引起聚合物电导率增加几个到十几个数量级。利用这个特性，可制作导电图样，制作连线，制作p型半导体材料和n型半导体材料，制作pn结，...
设计应用 时间：2007/4/29 阅读：2562
离子注入是另一种掺杂技术，离子注入掺杂也分为两个步骤：离子注入和退火再分布。离子注入是通过高能离子束轰击硅片表面，在掺杂窗口处，杂质离子被注入硅本体，在其他部位，杂质离子被硅表面的保护层屏蔽，完成选择掺杂的过程。进入硅中...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：1519
随着离子注入技术的发展，它的应用也越来越广泛，尤其是在集成电路中的应用发展最快。由于离子注入技术具有很好可控性和重复性，这样设计者就可根据电路或器件参数的要求，设计出理想的杂质分布，并用离子注入技术实现这种分布。离子注入...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：1732
