离子注入是半导体器件和集成电路生产的关键工艺之一，其提供的高精度和高均匀性可以大幅度提高集成电路的成品率，因此，离子注入机与光刻机、刻蚀机和镀膜设备并称为芯片制...
分类：业界动态 时间：2023/8/25 阅读：449 关键词： 离子注入
“芯”产业成为房地产公司万业企业的转型方向。万业企业近期公告，拟通过发行股份和现金购买等方式，作价9.7亿元收购凯世通100%股权，从而涉足集成电路产业。 8月6日，在公司资产重组说明会上，万业企业董事长朱旭东表示，本次交易...
分类：业界动态 时间：2018/8/7 阅读：365 关键词：离子注
应用材料公司今天宣布全新推出AppliedVarianVIISta?9003D系统。作为业内的中电流离子注入设备，该系统专为2x纳米以下节点的FinFET和3DNAND制程而开发，具有超凡的控制能力...
分类：名企新闻 时间：2014/7/7 阅读：1072
由北京中科信电子装备有限公司自主研发的300mm/65nm大角度离子注入机进入中芯国际(北京)集成电路制造有限公司，开始接受国际主流生产线的技术测试与器件工艺检验，为这一国产集成电路制造装备实现重大技术跨越作的冲刺。据了解，这是国产...
分类：业界要闻 时间：2010/11/25 阅读：288 关键词：生产线
FSI国际的ZETA系统ViPR工艺被确定为CMOS应用中超高剂量离子注入的一项关键技术
全球IC制造晶圆清洗系统厂商FSI国际有限公司日前发布了一篇由海力士半导体有限公司、Varian半导体设备有限公司、Nanometrics有限公司和FSI联合提交的论文，该论文证实了带有ViPR技术的ZETA喷雾式清洗系统是超高剂量等离子体掺杂（P
分类：名企新闻 时间：2008/6/30 阅读：925 关键词：CMOS
离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体薄膜的方法，将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半导体薄膜中，即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子，然后在850－900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入
Axcelis在SEMICON Japan 2007期间推出新款单晶圆高能离子注入设备
AxcelisTechnologies在SEMICONJapan2007期间推出的新款OptimaXE单晶圆高能离子注入设备，是AxcelisOptima单晶圆系列一款产品。OptimaXE所提供能量范围从10keV到4MeV，它所具有的灵活性
分类：名企新闻 时间：2007/12/4 阅读：763
半导体制造设备供应商AxcelisTechnologies,Inc.日前宣布，公司再次自一家亚洲大型芯片制造商获得了一台OptimaHD高剂量注入设备的订单。据悉，该设备将于今年首季度出货。据称，这家芯片制造商对此前采购的Axcelis的Optim
国家集成电路制造装备“100nm高密度等离子刻蚀机与大角度离子注入机”项目新闻发布会暨产品销售签约仪式在京召开
2006年9月28日，国家“十五”863计划集成电路制造装备重大专项“100nm高密度等离子刻蚀机和大角度离子注入机”项目新闻发布会暨产品销售签约仪式在京西宾馆举行，中共中央政治局委员、北京市委书记刘淇，国家科学技术部部长徐冠华、副部...
时间：2007/4/10 阅读：406
离子注入工艺就是用高能离子注入设各把具有一定能量的带电粒子掺入到半导体材料中，从而改变半导体材料的电学性质和光学性质。离子从上DBR处注入，与晶体内的电子和原子核...
基础电子 时间：2008/12/3 阅读：4484
离子注入技术是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性高新技术。其基本原理是：用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：1751
课程内容：1离子注入及其原理1.1离子注入掺杂1.2离子注入设备及工作原理1.2.1离子源1.2.2初聚系统1.2.3磁分析器1.2.4加速器1.2.5扫描器1.2.6偏束板1.2.7靶室1.3离子注入的杂质分布曲线1.3.1离子注入杂质分布的峰值
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：2907
离散二极管和晶体管能在晶体生长的时候在硅ingot里形成结而生产出来。假设硅ingot开始的时候是P型晶体。经过短暂的生长后，通过加入控制量的磷melt被反向掺杂。继续的晶体生长会产生一个嵌入ingot的PN结。连续的反掺杂能在晶体里产生多个...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：1748
由于传统扩散技术的限制性，现代工艺大量使用了离子注入。 离子注入机是一种特殊的粒子加速器，用来加速杂质原子，使他们能穿透硅晶体到达几微米的深度。（16 注入深度和注入能量有关。 本节讨论的注入涉及到的能量不超过几百keV。一些现...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：2155
岳喜成（宝鸡文理学院物理系，陕西宝鸡721007）摘要：离子注入聚合物（在一定的能量和一定的剂量），可引起聚合物电导率增加几个到十几个数量级。利用这个特性，可制作导电图样，制作连线，制作p型半导体材料和n型半导体材料，制作pn结，...
设计应用 时间：2007/4/29 阅读：2527
离子注入是另一种掺杂技术，离子注入掺杂也分为两个步骤：离子注入和退火再分布。离子注入是通过高能离子束轰击硅片表面，在掺杂窗口处，杂质离子被注入硅本体，在其他部位，杂质离子被硅表面的保护层屏蔽，完成选择掺杂的过程。进入硅中...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：1502
随着离子注入技术的发展，它的应用也越来越广泛，尤其是在集成电路中的应用发展最快。由于离子注入技术具有很好可控性和重复性，这样设计者就可根据电路或器件参数的要求，设计出理想的杂质分布，并用离子注入技术实现这种分布。离子注入...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：1694
