新型内存

新型内存技术

相变化内存开创新型内存系统设计

相变化内存(Phase Change Memory,PCM)是一项全新的内存技术,目前有多家公司在从事该技术的研发活动。这项技术集当今挥发性内存和非挥发性内存两大技术之长,为系统工程师提供极具吸引力的技术特性和功能。工程师无需再费时解决过去几年...

设计应用 时间:2010/11/1 阅读:1891

Infineon推出新型内存产品

英飞凌科技公司(Infineon)近日发布了适用于笔记本电脑和图形应用的新型高密度内存产品,旨在帮助系统制造商满足不断增长的移动、微型化以及逼真图形应用的需求。·2GB双晶片DDR2SO-DIMM(双倍数据速率,小外形双列直插内存模块),

新品速递 时间:2007/4/29 阅读:1257