Vishay——新型第三代 1200 V SiC 肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性
新型碳化硅 (SiC) 肖特基二极管 器件采用 MPS 结构设计，额定电流 5 A ~ 40 A 低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低 Vishay 推出 16 款新型第三代 1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PI...
时间：2024/7/19 阅读：125 关键词：肖特基二极管
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块
半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电...
分类：新品快报 时间：2024/7/4 阅读：319 关键词：二极管
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（...
分类：新品快报 时间：2024/7/1 阅读：265 关键词：SiC肖特基二极管
“CoolSiC 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术，充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以...
分类：新品快报 时间：2023/10/13 阅读：379 关键词：肖特基二极管
据该公司介绍，在这个名为TRSxxx65H的系列中，采用了一种新的肖特基金属，并且与第二代相比，改变了结势垒结构以降低电场，从而减少泄漏。 标称最大连续电流在 2A 至 12...
分类：新品快报 时间：2023/7/14 阅读：522 关键词：1.2V
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性
器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 ...
分类：新品快报 时间：2023/5/24 阅读：647 关键词：电子
njr推出世界最小尺寸且具有高散热性的650V/10A碳化硅肖特基二极管
如今，为了实现可持续发展和繁荣的社会，在能源领域十分要求效率。本公司为实现这一目标正在开发新的产品群，进而推进下一代电力设备的发展。 这次开始提供的样片NJDC01...
分类：新品快报 时间：2021/4/6 阅读：2056
Vishay推出新型650V SiC肖特基二极管，提升高频应用能效
宾夕法尼亚、MALVERN—2021年1月28日—日前，VishayIntertechnology，Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出十款新型650V碳化硅（SiC）肖特基二极管。VishaySemiconductors...
分类：新品快报 时间：2021/1/28 阅读：4555
Vishay推出650V SiC肖特基二极管，提高了高频应用的效率
VishayIntertechnology，Inc.（纽约证券交易所代码：VSH）今天??推出了10个新的650V碳化硅（SiC）肖特基二极管。VishaySemiconductors器件采用合并的PIN肖特基（MPS）设计...
分类：新品快报 时间：2021/1/27 阅读：1758
Littelfuse新推经过扩展的碳化硅肖特基二极管产品系列
Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的企业，宣布新推出了四个隶属于其第2代产品家族的1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管系列产品，该产品家族最初于2017年5月发布。 第2代1200V碳化硅肖特基二极管 LSI...
分类：新品快报 时间：2018/4/12 阅读：682
在射频电路中，射频检波器主要是对射频信号进行检测并以特定方式对其进行测量和转换。按照分类，射频检波器有峰值检波器（peak detectors）、对数放大检波器（log amp detectors）、RMS检波器等；而二极管检波器是一种峰值检波器。今天我...
基础电子 时间：2024/8/6 阅读：385
肖特基二极管，也称为肖特基势垒二极管，是一种特殊的二极管，其工作原理基于金属和半导体之间的肖特基势垒形成的特性。以下是肖特基二极管的工作原理： 肖特基势垒： 肖特基二极管由金属（通常是铝）和半导体（如硅）构成，金属与...
基础电子 时间：2024/3/18 阅读：331
通常，硅双极二极管用于转换器中。它们的反向恢复会在硬开关电路中的二极管和相应晶体管中产生损耗 [1]；此外，它也可能是软开关电路的限制因素[2]。我们付出了一些努力来优化硅双极二极管的行为 [3]，但不能超过物理极限。 本节简要...
基础电子 时间：2023/10/10 阅读：800
考虑到Si、SiC和GaAs的一般物理参数，SiC似乎是高频功率器件的首选材料。它可以承受最高电场，从而使二极管具有非常高的击穿电压和低正向压降。此外，它具有最低的热阻，允许高通态电流密度。 然而，砷化镓有一些必须考虑的优点： ...
基础电子 时间：2023/9/6 阅读：921
肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写。不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。肖特基的两个主要特点，一个是正向...
基础电子 时间：2023/5/19 阅读：120
肖特基二极管，属于大电流、低功耗、低压、超高速半导体功率器件。它的正向导通压降仅为0.4V左右，反向恢复时间极短，可小至几纳秒；其整流电流可高达几百至几千安培。这些优良性能是快恢复及超快恢复二极管所不具备的。肖特基二极管是用...
设计应用 时间：2023/5/12 阅读：631
通常，异步开关模式电源 (SMPS) 的主要损耗源是二极管的非理想特性。解决此问题的一种方法是使用同步 SMPS，其中二极管被受控 MOSFET 开关取代。这种方法肯定会提高效率；然而，它是以增加电路和需要精确控制为代价的。 同步与异步升压...
设计应用 时间：2023/4/25 阅读：418
一、什么是肖特基二极管 肖特基二极管也称肖特基势垒二极管，简称SBD，它是一种低功耗、超高速半导体器件，它是一种热载流子二极管。 二、肖特基二极管结构 肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极...
基础电子 时间：2022/12/20 阅读：705
肖特基二极管由金属到N结构成，而不是由PN半导体结构成。肖特基二极管也称为热载流子二极管，其特点是开关时间快(反向恢复时间短)、正向压降低(金属硅结通常为0.25V至0.4V)和低结电容。 7.1肖特基二极管技术与结构 肖特基二极管的...
基础电子 时间：2022/12/16 阅读：430
近年来，随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及，应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。其中，中等耐压的二极管因其能有效整流和保护电路，而被广泛应用在从手机到电动汽车动力总成系统等各种电路和领域中，...
基础电子 时间：2022/11/18 阅读：475
