Infineon-英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用GaN晶体管产品系列
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外...
时间：2025/4/29 阅读：134 关键词：Infineon
英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用GaN晶体管产品系列
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不...
分类：新品快报 时间：2025/4/23 阅读：1856 关键词：英飞凌
Infineon - 英飞凌推出CoolSiC肖特基二极管2000 V的TO-247-2封装，在提升效率的同时简化设计
目前，许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）于 ...
时间：2025/4/1 阅读：151 关键词：英飞凌
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V的TO－247－2封装，在提升效率的同时简化设计
许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英...
Infineon - 英飞凌推出CoolSiC肖特基二极管2000 V， 直流母线电压最高可达1500 VDC， 效率更高，设计更简单
如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolSiC?肖特基二...
时间：2025/2/19 阅读：118 关键词：英飞凌
Vishay——新型第三代 1200 V SiC 肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性
新型碳化硅 (SiC) 肖特基二极管 器件采用 MPS 结构设计，额定电流 5 A ~ 40 A 低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低 Vishay 推出 16 款新型第三代 1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PI...
时间：2024/7/19 阅读：393 关键词：肖特基二极管
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块
半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电...
分类：新品快报 时间：2024/7/4 阅读：444 关键词：二极管
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（...
分类：新品快报 时间：2024/7/1 阅读：415 关键词：SiC肖特基二极管
“CoolSiC 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术，充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以...
分类：新品快报 时间：2023/10/13 阅读：526 关键词：肖特基二极管
据该公司介绍，在这个名为TRSxxx65H的系列中，采用了一种新的肖特基金属，并且与第二代相比，改变了结势垒结构以降低电场，从而减少泄漏。 标称最大连续电流在 2A 至 12...
分类：新品快报 时间：2023/7/14 阅读：658 关键词：1.2V
电流和电压确实很重要，但功率从几个方面提供了更完整和有用的射频视图：功率提供了一种更直接、更方便的方式来表征射频系统的性能，评估信号强度，优化能量传输，确保安全...
设计应用 时间：2025/4/21 阅读：209
肖特基二极管（Schottky Diode）和快恢复二极管（Fast Recovery Diode）都是常用的半导体器件，它们在电子电路中的作用和应用有所不同。下面是它们的主要区别： 1. 工作原理 肖特基二极管：肖特基二极管采用金属与半导体的接触方式...
基础电子 时间：2025/3/25 阅读：398
随着PFC拓扑中采用SiC 肖特基二极管，旁路二极管被用来限制通过 SiC 二极管的正向电流，以防浪涌电流影响电源干线。图 1 说明了旁路二极管通常如何在经典 PFC 中实现。仅当...
设计应用 时间：2025/1/16 阅读：935
为什么 SiC 功率芯片更小？ 功率芯片的大小直接由单位面积的导通电阻决定，而导通电阻主要由作为功能层的外延层的电阻主导。为了最小化器件的导通电阻，必须增加外延层...
设计应用 时间：2024/10/22 阅读：444
在射频电路中，射频检波器主要是对射频信号进行检测并以特定方式对其进行测量和转换。按照分类，射频检波器有峰值检波器（peak detectors）、对数放大检波器（log amp detectors）、RMS检波器等；而二极管检波器是一种峰值检波器。今天我...
基础电子 时间：2024/8/6 阅读：655
肖特基二极管，也称为肖特基势垒二极管，是一种特殊的二极管，其工作原理基于金属和半导体之间的肖特基势垒形成的特性。以下是肖特基二极管的工作原理： 肖特基势垒： 肖特基二极管由金属（通常是铝）和半导体（如硅）构成，金属与...
基础电子 时间：2024/3/18 阅读：478
通常，硅双极二极管用于转换器中。它们的反向恢复会在硬开关电路中的二极管和相应晶体管中产生损耗 [1]；此外，它也可能是软开关电路的限制因素[2]。我们付出了一些努力来优化硅双极二极管的行为 [3]，但不能超过物理极限。 本节简要...
基础电子 时间：2023/10/10 阅读：900
考虑到Si、SiC和GaAs的一般物理参数，SiC似乎是高频功率器件的首选材料。它可以承受最高电场，从而使二极管具有非常高的击穿电压和低正向压降。此外，它具有最低的热阻，允许高通态电流密度。 然而，砷化镓有一些必须考虑的优点： ...
基础电子 时间：2023/9/6 阅读：1057
肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写。不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。肖特基的两个主要特点，一个是正向...
基础电子 时间：2023/5/19 阅读：220
肖特基二极管，属于大电流、低功耗、低压、超高速半导体功率器件。它的正向导通压降仅为0.4V左右，反向恢复时间极短，可小至几纳秒；其整流电流可高达几百至几千安培。这些优良性能是快恢复及超快恢复二极管所不具备的。肖特基二极管是用...
设计应用 时间：2023/5/12 阅读：789
