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Si技术

几十纳米栅氧化层如何制约 SiC MOSFET 可靠性

在功率半导体器件 MOSFET 中,栅氧化层是位于栅极与半导体芯片之间的关键绝缘层,其核心材质多为二氧化硅(SiO),堪称器件的 “电力控制阀门”。它一方面承担着电绝缘的重...

设计应用 时间:2026/5/22 阅读:578

高速PCB信号完整性(SI)设计核心实操规范

随着电子设备向高频化、高传输速率升级,DDR5(4800Mbps)、PCIe4.0(16Gbps)、USB3.2(10Gbps)等高速接口已成为主流配置,信号完整性(SignalIntegrity,SI)已从“优化项”成为“必选项”。低速PCB设计中“能连通即可”的思路,在高速...

基础电子 时间:2026/4/10 阅读:476

5G MassiveMIMO系统中的滤波器挑战与创新解决方案

作为5G通信的核心关键技术,MassiveMIMO(大规模多输入多输出)通过在基站端部署数十至数百根天线阵列,大幅提升系统频谱效率、信道容量与连接密度,为高清视频、车联网、工业互联等高频场景提供核心支撑。滤波器作为MassiveMIMO系统射频...

基础电子 时间:2026/3/6 阅读:323

一文看懂eSIM到底是什么 有啥好处

当你还在为换手机时抠取 SIM 卡的繁琐操作烦恼,为出国旅行时找不到当地电话卡而焦虑,一种名为 eSIM 的技术已悄然改变着我们的通信方式。2025 年,国内三大运营商正式开启 eSIM 手机商用试验,标志着通信业迈入 “无卡化” 时代的关键一...

基础电子 时间:2025/10/20 阅读:1351

SiPM 测试板偏置电压源的选择与考量

在电力电子领域,RC 缓冲器作为一种至关重要的电路元件,在开关应用中发挥着控制电压尖峰、降低电路噪声的关键作用。近期,在浏览谷歌时,发现各大电商平台上充斥着各种超...

设计应用 时间:2025/9/2 阅读:529

揭秘 PCI - SIG:PCIe 信号设计的关键指南与要点

在高速数据传输领域,PCIe(Peripheral Component Interconnect Express)技术至关重要。本文介绍的是 2019 年 PCI - SIG(PCI Special Interest Group)发布的关于 PCIe 信号设计过程中使用中继器(Redriver&Retimer)的资料,即便...

基础电子 时间:2025/8/26 阅读:467

纳芯微 NSI7258 固态继电器:助力 BMS 系统实现高可靠绝缘监测

在当今的电子设备应用中,BMS(电池管理系统)发挥着至关重要的作用。然而,BMS 系统的工作电压普遍高于人体所能承受的安全电压。一旦其绝缘性能出现下降,漏电流就会显著...

设计应用 时间:2025/7/17 阅读:631

安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器:电动汽车电力系统创新引领者

在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下,全球范围内从化石燃料向电动汽车(EV)的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者,电动汽车必...

设计应用 时间:2025/7/10 阅读:465

深入解析安森美 SiC Combo JFET 技术特性与应用优势

在当今电子技术飞速发展的时代,功率器件的性能对于众多应用场景的高效运行起着关键作用。安森美具有卓越 RDS (on)*A 性能的 SiC JFET,特别适用于需要大电流处理能力和较...

设计应用 时间:2025/6/26 阅读:584

解析 Littelfuse SMFA:非对称 TVS 二极管助力 SiC MOSFET 高效栅极保护

在当今的电源和电力电子领域,碳化硅(SiC)MOSFET 的应用正变得越来越广泛。随着功率半导体技术的不断进步,开关损耗也在持续降低。然而,随着开关速度的不断提高,设计人...

设计应用 时间:2025/6/24 阅读:409