Mouser-贸泽开售Espressif Systems全新ESP32-P4X-EYE视觉开发套件，为AI、边缘计算、HMI和摄像头应用提供支持
提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入(NPI)代理商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开售Espressif Systems的新型ESP32-P4X-EYE视觉开发套件。ESP32-P4X-EYE是一款面向摄像头应用的紧凑型开发套件，专为智能监控摄像头、视觉...
时间：2026/10/10 阅读：69 关键词：Mouser
Mouser-贸泽开售Banner Engineering RSio远程安全I/O模块现,为CIP安全系统带来串联诊断功能
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开售Banner Engineering的RSio远程安全I/O模块。RSio远程安全I/O支持CIP Safety系统，具备串联诊断(ISD)功能，并提供六个可独立配置的混合I...
时间：2026/10/10 阅读：125 关键词：Mouser
Mouser-贸泽开售用于车内监测系统的英飞凌XENSIV BGT60ATR24AIP 60GHz雷达传感器
提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入(NPI)代理商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开售英飞凌XENSIV BGT60ATR24AIP 60GHz雷达传感器。XENSIV BGT60ATR24AIP雷达传感器拥有先进的传感和超低功耗特性，可实现可靠且经济高效...
时间：2026/10/9 阅读：307 关键词：Mouser
MathWorks发布2026b版本MATLAB和Simulink,新功能简化日益融合软件、电子和AI的复杂工程系统的开发、验证和部署
面向工程化系统设计的数学计算软件领先开发商MathWorks今日宣布，发布2026b版的MATLAB 和Simulink （R2026b），该版本引入新产品和重要功能增强，使工程团队能够管理日益增长的系统复杂性，同时加速从设计仿真到部署的过程。该版本新增Si...
时间：2026/9/29 阅读：183 关键词：MathWorks
SigmaStar-星宸科技旗下Comake发布Comake Pi D3：入门级视觉边缘计算开发板迎来“性能越级”
芯实力：星宸科技SCM8003G主控加持 Comake Pi D3的核心搭载星宸科技自研的SCM8003G AI主控芯片。在Comake官方产品路线图中，SCM8003G的规格被标注为8TOPS算力档位，与D3的产品定位相匹配。星宸科技将自研芯片与开发者平台深度绑定，推...
时间：2026/9/28 阅读：97 关键词：SigmaStar
ROHM-罗姆SiC功率器件助力宝马新世代“Neue Klasse”电动动力总成
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其功率半导体解决方案已用于全球顶级汽车制造商宝马的电动汽车平台。在宝马提出的新世代电动平台“Neue Klasse”中，罗姆的SiC功率器件将助力电动动力总成系统进一步实现更高的...
时间：2026/9/28 阅读：89 关键词：ROHM
Cadence Tensilica IP赋能Analog Devices新一代DSP架构
增强型DSP架构性能相比上一代ADSP处理器内核提升5倍 楷登电子（美国Cadence公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布Tensilica IP事业部与Analog Devices,Inc.(ADI)携手合作，共同开发最新一代SHARC汽车音频处理器，进一步巩固ADI在高端车载音频...
时间：2026/9/28 阅读：74 关键词：Cadence
Sensirion-场景驱动，感知向实：盛思锐以应用创新赋能智能系统
当智能化浪潮席卷千行百业，传感器已不仅是获取数据的基础元件，更成为驱动智能决策的重要入口。对于客户而言，真正的价值不再停留于传感器的性能参数，而在于能否将传感技术与具体应用场景深度结合，解决现实世界中的复杂挑战。 盛思...
时间：2026/9/28 阅读：112 关键词：Sensirion
Toshiba-东芝推出具备高浪涌电流能力3300V SiC MOSFET模块，助力提升工业设备可靠性
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”，进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅（SiC...
时间：2026/9/28 阅读：256 关键词：Toshiba
第81届联合国大会一般性辩论进入第二天，美国总统特朗普在发言中宣布：今后所有美国政府文件将不再使用“人工智能”（Artificial Intelligence，AI）这一术语，取而代之的...
分类：业界动态 时间：2026/9/23 阅读：19734 关键词：AI
CMOS工艺中为什么PMOS的源漏极要加入SiGe，而NOMS要加入SiC？
在先进CMOS制程迭代过程中，当工艺节点迈入90nm及以下，单纯依靠缩小晶体管尺寸带来的性能增益逐渐枯竭，短沟道效应、载流子迁移率衰减、器件漏电升高等问题持续凸显。为了在不过度增加工艺复杂度与功耗的前提下提升晶体管导通性能，业界...
基础电子 时间：2026/9/9 阅读：617
SiC 器件准静态 CV 测量新思路：恒流激励法提升测试稳定性并解析界面电荷
电容电压（CV）测量作为半导体材料与器件工艺表征的关键手段，在 MOS 器件分析领域应用广泛。通过 CV 测试数据，能够提取诸如氧化物可动电荷、氧化层电容、界面陷阱、掺杂分布、平带电压、掺杂浓度、少数载流子寿命以及输入输出电容等众...
基础电子 时间：2026/8/26 阅读：168
SiC 器件准静态 C-V 测量的新路径：用施加电流法提升稳定性并分析界面电荷
在半导体材料和器件制造过程的分析中，电容 - 电压（C - V）测量是一种极为重要的手段，尤其在表征金属 - 氧化物 - 半导体（MOS）方面发挥着关键作用。从 C - V 数据中，我...
设计应用 时间：2026/8/14 阅读：258
随着手机平台的快速发展，新的工艺节点降低了手机基带处理器的电压，主流的旗舰平台电压已经从1.8V降低到1.2V，而SIM卡主要采用3.0V（B类）或者1.8V（C类）的逻辑电平接口，为此力芯微新推出一款SIM卡电平转换ET4559来实现主机平台与SIM...
新品速递 时间：2026/8/4 阅读：315
SiC 功率模块内置 NTC 温度传感器核心技术与工程应用详解
在新能源汽车电控、光伏逆变器、储能变流器等大功率电力电子系统蓬勃发展的当下，SiC 功率模块的结温监测成为了保障器件长期可靠运行、充分发挥碳化硅高频性能的核心环节。而内置在模块内部的 NTC 热敏电阻，作为目前应用最广泛的低成本...
设计应用 时间：2026/8/3 阅读：334
深入解析沟槽型 SiC MOSFET 工艺流程与 SiC 离子注入技术
在提高 SiC 功率器件性能方面，器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用作 n 沟道时往往比 p 沟道表现出更好的性能。为获得更高性能，该器件需要在低电阻率的 ...
设计应用 时间：2026/7/28 阅读：266
IGBT 与 SiC MOSFET 双脉冲测试设备性能大不同
双脉冲测试作为功率半导体动态特性表征的 “黄金标准”，在半导体器件的测试领域有着举足轻重的地位。它能够精准测量开关损耗、dv/dt、di/dt、电压过冲以及反向恢复参数等关键指标，而这些测试结果对于器件选型、驱动优化以及整机设计而...
全部 时间：2026/7/27 阅读：293
详解 IGBT 与 SiC MOSFET 两类器件双脉冲测试的设备性能差异
双脉冲测试在功率半导体动态特性表征领域堪称 “黄金标准”，它能够精准测量开关损耗、dv/dt、di/dt、电压过冲及反向恢复参数等重要指标。这些测试结果对于器件选型、驱动...
设计应用 时间：2026/7/24 阅读：386
安森美详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 拓扑中的应用：死区时间控制及损耗优化方法
在电力电子领域，共源共栅碳化硅结型场效应晶体管（Cascode SiC JFET，简称 CJFET）凭借其高耐压、低导通损耗、开关速度快以及栅极电荷低（0 - 12 V 栅极驱动）等显著优势，在 LLC 谐振变换器中展现出了巨大的应用潜力。然而，其在关断时...
基础电子 时间：2026/7/21 阅读：176
当很多人接触芯片设计时，往往会把 Design Rule（设计规则）视作一套由工厂现成提供的硬性规范，觉得只需被动遵守，并完成 DRC（设计规则检查）就足够了。然而，实际上这套贯穿芯片版图设计、物理验证以及流片生产的核心准则，并非凭空制...
基础电子 时间：2026/7/16 阅读：329
