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晶盛机电举行“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”签约绍兴

晶盛机电举行“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启动仪式,旨在加快半导体材料端的关键核心技术攻关,实现国产化替代,这一举措标志着晶盛机电在半导...

分类:名企新闻 时间:2023/11/8 阅读:171 关键词:晶盛机电

ST - 意法半导体将在意大利兴建整合式碳化硅衬底制造厂

服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)将于意大利兴建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)衬底制造厂,以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日...

分类:名企新闻 时间:2022/11/2 阅读:184 关键词:半导体

意法半导体将在意大利兴建整合式碳化硅衬底制造厂

该项目将成为欧洲首座碳化硅外延衬底(SiCepitaxialsubstrate)制造厂 实现完全垂直整合,加强碳化硅组件及解决方案衬底供应,以助力汽车及工业客户迈向电气化并提升效率 ...

分类:名企新闻 时间:2022/10/9 阅读:1113

X-FAB宣布升级其衬底耦合分析工具,将BCD-on-SOI工艺纳入其中

全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,扩展其SubstrateXtractor工具应用范围,让用户可以借助这一工具检查不想要的衬底耦合效应。作为全球首家为BCD-on-SOI工艺提供此类分析功能的代工...

分类:名企新闻 时间:2022/6/14 阅读:161 关键词:晶圆

宽禁带半导体 GaN 单晶衬底等 21 个重大项目签约苏州高新区

苏州高新区举行2022年苏州科技城重大项目集中云签约仪式,本次集中签约项目共21个,涵盖了软件和信息技术、高端医疗器械、高端智能装备、集成电路等高新区重点产业领域。 ...

分类:业界动态 时间:2022/5/18 阅读:2778

河北同光科技年产10万片碳化硅单晶衬底项目投产

报道称,2020年3月,河北同光晶体有限公司(以下简称“同光晶体”)与涞源县政府签署协议,政企共建年产10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目,总投资约9.5亿元、规划占地1...

分类:名企新闻 时间:2021/9/6 阅读:1186

天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目在北京市大兴区顺利开工!

北京天科合达半导体股份有限公司第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目开工仪式在北京市大兴区黄村镇大兴新城东南工业区隆重举行。  北京天科合达半导体股份有限公司...

分类:名企新闻 时间:2020/8/24 阅读:1930 关键词:天科合达半导体

国内碳化硅衬底氮化镓材料试制成功,5G芯片国产化再进一步

据业内人士透露,作为芜湖大院大所合作的重点项目,国产化5G通信芯片用一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功,打破国外垄断。这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。大数据传输、云计算、AI技术、物联网,包括下一...

分类:业界动态 时间:2019/2/25 阅读:431 关键词:5G芯片

“南昌光谷”:2017年前7月硅衬底LED产业营收超23亿

近日记者了解到,作为“南昌光谷”建设主战场的南昌高新区,今年前7个月硅衬底产业的主营业务收入为23.55亿元。去年一年,该区硅衬底LED主营业务收入为40.41亿元。业内人士...

分类:业界要闻 时间:2017/9/15 阅读:611 关键词:LED硅衬底南昌光谷

南昌打造硅衬底LED产业集群

“从0到1”,再“从1到10”,10多年时间过去,(江西)有限公司实现了硅衬底突破和产业化应用,当前正在“从10到100”的扩大产业规模阶段中迈步前进。随着全球事业合伙人计划的实施,越来越多企业和人才加盟南昌硅衬底LED产业,为建设“...

分类:业界要闻 时间:2017/5/15 阅读:562 关键词:lead

衬底技术

Soitec 发布首款 200mm SmartSiC™ 优化衬底,拓展碳化硅产品组合

设计和生产创新性半导体材料的quan球领军企业Soitec 近日发布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC 晶圆。这标志着 Soitec 公司的碳化硅产品组合已拓展至 150mm 以上,其 SmartSiC 晶圆的研发水准再创新高,可满足汽车市场不断增长的需求。 ...

新品速递 时间:2022/5/7 阅读:524

Si衬底LED芯片是如何进行封装与制造的?

引言  1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来,LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,SiC同...

设计应用 时间:2018/8/21 阅读:517

LED芯片制作中衬底知识大全

外延片的生产制作过程是非常复杂,展完外延片,接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试,符合要求的就是良品,其它为不良品(电压偏差很大,波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极,N极),接下来就用激光切割外延片,然...

基础电子 时间:2014/12/31 阅读:2201

衬底温度对反应溅射ZnO:Al导电薄膜性能的影响

摘要:衬底温度在反应溅射制备ZnO:Al薄膜过程中是一个重要的工艺参数,直接决定这薄膜的性能。本文用中频脉冲磁控溅射方法,采用锌铝合金(Al的含量为2%)靶,在衬底温度17...

基础电子 时间:2014/2/24 阅读:3122

采用塑料封装和IMS衬底的混合动力汽车功率IGBT模块

混合动力电动汽车(HEV)能把污染物排放量降低1/3至1/2,车型甚至可能把排放量降得更多。但是,HEV需要大功率的成本效益型电源开关,到目前为止,大功率开关产品因为成本高...

技术方案 时间:2012/12/11 阅读:3641

Si衬底LED芯片制造和封装技术

引言  1993年世界上只GaN基蓝色LED问世以来,LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和...

基础电子 时间:2011/9/8 阅读:5683

一种低压低功耗衬底驱动轨至轨运算放大器设计方案

运算放大器(简称“运放”)是具有很高放大倍数的电路单元。在实际电路中,通常结合反馈网络共同组成某种功能模块。由于早期应用于模拟计算机中,用以实现数学运算,故得名“运算放大器”。  运算放大器是模拟集成电路中用途最广、最基...

技术方案 时间:2011/5/28 阅读:3553

LED芯片常用衬底材料选用比较

对于制作LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底:  1. 蓝...

基础电子 时间:2010/11/25 阅读:3158

基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术

0 引言  1993年世界上只GaN基蓝色LED问世以来,LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性...

基础电子 时间:2010/6/7 阅读:2472

采用Si衬底利用AIN做缓冲层的光导型探测器

Khan等人[25]在1992年报道了支高质量GaN材料光电导探测器,它以蓝宝石为衬底通过金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长而成。光响应波长为200~365 nm,在365nm处增益达6×103。在5 V的偏压下响应度可达2000 A/W。随后,由于51材料成熟...

基础电子 时间:2008/12/1 阅读:1722

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