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英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性...

时间：2024/3/21 阅读：28 关键词：电子

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC...

时间：2024/3/21 阅读：62 关键词：电子

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列...

分类：新品快报时间：2024/3/18 阅读：348 关键词：电子

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求...

分类：新品快报时间：2024/3/14 阅读：372 关键词：电子

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比，英飞凌全新的CoolSiC MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性...

时间：2024/3/12 阅读：70 关键词：电子

Nexperia今天宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系，共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品。Nexperia和三菱电机都是各自行业领域的领军企业，双方联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率...

时间：2024/1/22 阅读：60 关键词：电子

200 V分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源转型　　基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247...

分类：新品快报时间：2023/11/30 阅读：417 关键词：SiC MOSFET

配合模块自身输出的RTC信号实现短路保护！ ISAHAYA ELECTRONICS制造的栅极驱动单元"VLB512-01R" "VLB519-01R" 目前，为了提高设备的效率和小型化，SiC MOSFET模块在工业设备领域的采用也正在加速。三菱电机正在陆续推出内置原...

时间：2023/8/30 阅读：140

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极...

分类：新品快报时间：2023/8/30 阅读：382 关键词：MOSFET模块

英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。相比第一代产品，1200 V Co...

时间：2023/7/7 阅读：175 关键词：TO263-7封装

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