IR/国际整流器
IRF7314TRPBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGAAS铝镓砷
类型：经销商
电话：
手机：15817468549
联系人：何丽贤
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川） 华强北中航路新亚洲2期N2B071
标准包装 4,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 阵列
系列 HEXFET®
包装 带卷 (TR)
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 5.3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 58 毫欧 @ 2.9A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 29nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 780pF @ 15V
功率 - *大值 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
