AON6407

型号/规格：
AON6407
品牌/商标：
AOS
封装形式：
DFN5*6
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装
功率特征：
小功率
VDS：
-30V
ID (at VGS= -10V)：
-85A
RDS(ON) (at VGS= -10V)：
< 4.5mΩ
RDS(ON) (at VGS = -6V)：
< 6.0mΩ
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产品分类

场效应管MOSFET(8)
∟ MOSFET(8)

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商品信息

深圳市富荣达科技有限公司是一家新型、半导体代理商，品牌分销商，代理的品牌有AOS、TOSHIBA、UBIQ、NCE、LT领泰、长电等，公司专注中低压MOSFET十余年，主要成员都具有二十年半导体行业销售或研发经验，产品参数广、货源优、价格优，多种型号都有常备库存。欢迎各位来电18138446843付经理咨询AOS产品中各系列的产品。真诚沟通，诚信经商。

以下为AON6407现货详细信息，具体可查看该型号的PDF资料

场效应管的工作原理是什么？

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。