制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 否
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.4 V
在25 C的连续集电极电流: 170 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 690 W
封装 / 箱体: 34MM
工作温度: + 125 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极电压: +/- 20 V
工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10
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