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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV301N  晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 25 V, 3.1 ohm, 4.5 V, 850 mV


制造商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR


制造商产品编号 FDV301N
包装::  切割卷带
 Technical Data Sheet (213.49KB) EN
其它包装选项


 复卷 （少 150/卷） 9845011RL 
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产品概述


The FDV301N from Fairchild is a surface mount, N channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been especially tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance, this one N channel FET can replace several different digital transistors with different bias resistor values. FDV301N is suitable for low voltage and power management applications.
Drain to source voltage (Vds) of 25V
Gate to source voltage of 8V
Continuous drain current (Id) of 220mA
Power dissipation (Pd) of 350mW
Low on state resistance of 3.1ohm at Vgs 4.5V
Operating temperature range -55°C to 150°C
应用


电源管理; 消费电子产品; 便携式器材; 工业
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产品信息


晶体管极性  N沟道
电流, Id 连续  220mA
漏源电压, Vds  25V
在电阻RDS（上）  3.1ohm
电压 @ Rds测量  4.5V
阈值电压 Vgs  850mV
功耗 Pd  350mW
晶体管封装类型  SOT-23
针脚数  3引脚
工作温度值  150°C
产品范围  -
MSL  MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)  No SVHC (15-Jun-2015)


潮湿敏感级别： MSL 1 -无限制 原产地： United States
进行一道重要生产流程所在的国家


RoHS 合规： 是 
  RoHS 合规证书

企业名：深圳市创唯电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-21000796

手机：13006692189

联系人：吕先生

QQ：

邮箱：sales@szcwdz.com

地址：广东深圳深圳市宝安区西乡街道流塘路好运来商务大厦B座F8-020