供应600V/12A N沟道功率MOSFET MEM12N60 TO-220F

N沟道功率MOSFET MEM12N60的特点：

• 600V，12A
• RDS(ON)=0.7Ω@VGS=10V
• 低损耗
• 高速切换
• 封装：TO-220F

N沟道功率MOSFET MEM12N60的极限参数：

• 漏极-源极电压：600V
• 栅极-源极电压：±30V
• 漏极电流（TA=25℃）：12A
• 漏极电流（TA=100℃）：7.4A
• 脉冲漏极电流：48A
• 总耗散功率（TA=25℃）：50W

N沟道功率MOSFET MEM12N60的脚位图：

N沟道功率MOSFET MEM12N60的电特性：

企业名：东莞市宇芯电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 076989268116

手机：13809624202

联系人：谭平

QQ：

邮箱：tanping@yushin88.com

地址：广东东莞东莞市长安镇上沙明和商务楼3A02