供应 双N沟道场效应管 20V GM8205 SOT-26 负载开关用

双N沟道场效应管 GM8205的特点：

• 低导通电阻和直流电流能力
• 超高元胞密度设计
• R_DS(ON)≤35mΩ@V_GS=4.5V
• R_DS(ON)≤48mΩ@V_GS=2.5V

双N沟道场效应管 GM8205的应用：

• 笔记本电源管理
• 便携式设备
• 电池电源系统
• 直流/直流变换
• 负载开关应用

双N沟道场效应管 GM8205的内部结构图：

双N沟道场效应管 GM8205的极限参数：

• 漏极-源极电压：20V
• 栅极-源极电压：±8V
• 漏极电流-连续：5.0A
• 漏极电流-脉冲：20A
• 总耗散功率：1.25W
• 热阻：100℃/W
• 结温/存储温度：-55~150℃

企业名：东莞市宇芯电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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