FIR4N60ABPG-T
美国福斯特
TO-251
无铅环保型
直插式
单件包装
中功率
600V
4A
2.5Ω
50W
企业名：东莞市宇芯电子有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 076989268116
手机：13809624202
联系人：谭平
QQ： 
邮箱：tanping@yushin88.com
地址：广东东莞东莞市长安镇上沙明和商务楼3A02
FIR4N60ABPG-T N沟道场效应管 高压MOSFET
N沟道场效应管 FIR4N60ABPG-T的极限值：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDSS |
漏极-源极电压 |
600 | V |
|
ID |
漏极电流-连续 Tj=25℃ |
4 |
A |
|
漏极电流-连续 Tj=100℃ |
2.5 | ||
| VGS |
栅极-源极电压 |
±30 | V |
| EAS |
单脉冲雪崩能量 |
212 | mJ |
| IAR |
雪崩电流 |
4 | A |
| PD | 功耗(Tj=25℃) | 50 | W |
| Tj | 工作结温 | 150 |
℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55~+150 | |
| TL | 焊接温度 | 300 |
N沟道场效应管 FIR4N60ABPG-T的电特性：
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 值 | 典型值 | 值 | 单位 |
| BVDSS |
漏极-源极击穿电压 |
ID=250μA | 600 |
|
|
V |
| IDSS |
零栅压漏极电流 |
VDS=600V,VGS=0V |
|
|
10 |
μA |
| VDS=480V,Tj=125≥ |
|
|
100 | |||
| VGS(TH) |
栅极开启电压 |
ID=250μA,VDS=VGS | 2 |
|
4 | V |
| RDS(ON) |
静态漏源导通电阻 |
ID=2A,VGS=10V |
|
|
2.5 | Ω |
| Ciss | 输入电容 |
VDS=25V,VGS=0,f=1.0MHz |
|
615 |
|
pF |
| Coss | 输出电容 |
|
58.8 |
|
||
| Crss | 反向传输电容 |
|
6.18 |
|
||
| td(on) |
开启延迟时间 |
VDD=300V,ID=4A RG=25Ω |
|
13 | 35 |
ns |
| tr |
开启上升时间 |
|
45 | 100 | ||
| td(off) |
关断延迟时间 |
|
20 | 60 | ||
| tf |
开启下降时间 |
|
35 | 80 | ||
| Qgs |
栅源电荷密度 |
VDS=480V,VGS=10V,ID=4A |
|
3.4 |
|
nC |
| Qgd |
栅漏电和密度 |
|
7.1 |
|
N沟道场效应管 FIR4N60ABPG-T的封装外形尺寸：
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类型：贸易/代理/分销
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