您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 场效应管MOSFET > MOSFET

FIR4N60ABPG-T N沟道场效应管 高压MOSFET

FIR4N60ABPG-T N沟道场效应管 高压MOSFET
FIR4N60ABPG-T N沟道场效应管 高压MOSFET
  • 型号/规格:

    FIR4N60ABPG-T

  • 品牌/商标:

    美国福斯特

  • 封装形式:

    TO-251

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

  • VDSS:

    600V

  • ID:

    4A

  • RDS(ON):

    2.5Ω

  • PD:

    50W

  • PDF资料:

    点击下载PDF

普通会员
  • 企业名:东莞市宇芯电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 076989268116

    手机:13809624202

    联系人:谭平

    QQ: QQ:154312370

    邮箱:tanping@yushin88.com

    地址:广东东莞东莞市长安镇上沙明和商务楼3A02

商品信息



FIR4N60ABPG-T N沟道场效应管 高压MOSFET



N沟道场效应管 FIR4N60ABPG-T的极限值:

符号 参数 数值 单位
VDSS 漏极-源极电压
600 V
ID
漏极电流-连续 Tj=25℃
4 A
漏极电流-连续 Tj=100℃
2.5
VGS 栅极-源极电压
±30 V
EAS 单脉冲雪崩能量
212 mJ
IAR 雪崩电流
4 A
PD 功耗(Tj=25℃) 50 W
Tj 工作结温 150
Tstg 存储温度 -55~+150
TL 焊接温度 300


N沟道场效应管 FIR4N60ABPG-T的电特性

符号 参数 测试条件 典型值 单位
BVDSS 漏极-源极击穿电压
ID=250μA 600

V
IDSS 零栅压漏极电流
VDS=600V,VGS=0V

10 μA
VDS=480V,Tj=125≥

100
VGS(TH) 栅极开启电压
ID=250μA,VDS=VGS 2
4 V
RDS(ON) 静态漏源导通电阻
ID=2A,VGS=10V

2.5 Ω
Ciss 输入电容 VDS=25V,VGS=0,f=1.0MHz

615
pF
Coss 输出电容
58.8
Crss 反向传输电容
6.18
td(on) 开启延迟时间
VDD=300V,ID=4A RG=25Ω

13 35 ns
tr 开启上升时间

45 100
td(off) 关断延迟时间

20 60
tf 开启下降时间

35 80
Qgs 栅源电荷密度
VDS=480V,VGS=10V,ID=4A

3.4
nC
Qgd 栅漏电和密度

7.1


N沟道场效应管 FIR4N60ABPG-T的封装外形尺寸:


联系方式

企业名:东莞市宇芯电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 076989268116

手机:13809624202

联系人:谭平

QQ: QQ:154312370

邮箱:tanping@yushin88.com

地址:广东东莞东莞市长安镇上沙明和商务楼3A02

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9