FIR150N03PG TO-220 功率MOS管 N沟道场效应管

N沟道场效应管 FIR150N03PG的脚位图：

N沟道场效应管 FIR150N03PG的极限值：

• 漏极-源极电压：30V
• 栅极-源极电压：±20V
• 漏极电流-连续：150A
• 漏极电流-脉冲：600A
• 功耗：130W
• 单脉冲雪崩能量：1700mJ
• 工作结温和存储温度范围：-55~+175℃
  

N沟道场效应管 FIR150N03PG的电特性：

参数	符号	测试条件	值	典型值	值	单位
漏极-源极击穿电压	BVDSS	VGS=0V ID=250μA	30	35		V
零栅压漏极电流	IDSS	VDS=30V,VGS=0V			1	μA
栅极漏电流	IGSS	VGS=±20V,VDS=0V			±100	nA
栅极开启电压	VGS(TH)	VDS=VGS,ID=250μA	1.2	1.7	2.5	V
静态漏源导通电阻	RDS(ON)	VGS=10V,ID=20A		2.5	4	mΩ
正向跨导	gfs	VDS=10V,ID=20A	32			S
输入电容	Ciss	VDS=15V,VGS=0V, F=1MHz		5000		pF
输出电容	Coss			1135
反向传输电容	Crss			563
开启延迟时间	td(on)	VDD=15V,ID=2A,RL=15Ω VGS=10V,RG=2.5Ω		26		nS
开启上升时间	tr			24
关断延迟时间	td(off)			91
关断下降时间	tf			39
栅源电荷密度	Qgs	VDS=15V,ID=30A,VGS=10V		9		nC
栅漏电荷密度	Qgd			13

N沟道场效应管 FIR150N03PG的封装外形尺寸：

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