FIR140N10PG TO-220 插件功率MOSFET 场效应管

场效应管 FIR140N10PG的产品应用：

• 功率切换应用程序
• 高频电路
• 不间断电源

场效应管 FIR140N10PG的极限值：

• V_DSS：100V
• V_GS：±20V
• I_D：97A
• I_DM：550A
• P_D：330W
• E_AS：1200mJ
• T_J,T_stg：-55~+175℃

场效应管 FIR140N10PG的电特性：

参数	符号	值	典型值	值	单位
漏极-源极击穿电压	BVDSS	100	110		V
零栅压漏极电流	IDSS			1	μA
栅极漏电流	IGSS			±100	nA
栅极开启电压	VGS(TH)	2	3.2	4	V
静态漏源导通电阻	RDS(ON)		5.5	6.8	mΩ
正向跨导	gfs	170			S
输入电容	Ciss		10500		pF
输出电容	Coss		914
反向传输电容	Crss		695
开启延迟时间	td(on)		25		nS
开启上升时间	tr		100
关断延迟时间	td(off)		65
关断下降时间	tf		77
栅源电荷密度	Qgs		30		nC
栅漏电荷密度	Qgd		35

场效应管 FIR140N10PG的引脚图：

企业名：东莞市宇芯电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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