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210A功率MOSFET FIR210N06PG TO-220 福斯特60V增强型场效应管

210A功率MOSFET FIR210N06PG TO-220 福斯特60V增强型场效应管
210A功率MOSFET FIR210N06PG TO-220 福斯特60V增强型场效应管
  • 型号/规格:

    FIR210N06PG

  • 品牌/商标:

    美国福斯特

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

  • VDSS:

    60V

  • ID:

    210A

  • RDS(ON):

    4mΩ(Max)

  • PD:

    330W

  • PDF资料:

    点击下载PDF

普通会员
  • 企业名:东莞市宇芯电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 076989268116

    手机:13809624202

    联系人:谭平

    QQ: QQ:154312370

    邮箱:tanping@yushin88.com

    地址:广东东莞东莞市长安镇上沙明和商务楼3A02

商品信息 更新时间:2018-08-04



210A功率MOSFET FIR210N06PG TO-220 福斯特60V增强型场效应管



210A功率MOSFET FIR210N06PG的极限值:



210A功率MOSFET FIR210N06PG的热阻:


  • 结到管壳的热阻:0.455℃/W




210A功率MOSFET FIR210N06PG的电特性:

参数 符号 测试条件 典型值 单位
漏极-源极击穿电压
BVDSS VGS=0V,ID=250μA 60 68
V
零栅压漏极电流
IDSS VDS=60V,VGS=0V

1 μA
栅极漏电流 IGSS VGS=±20V,VDS=0V

±100 nA
栅极开启电压
VGS(TH) VDS=VGS,ID=250μA 2 3 4 V
静态漏源导通电阻
RDS(ON) VGS=10V,ID=40A

4
正向跨导 gfs VDS=24V,ID=40A 160

S
输入电容 Ciss

VDS=25V,VGS=0V,

F=1MHz


11000
pF
输出电容 Coss
1120
反向传输电容 Crss
950
开启延迟时间
td(on)

VDD=30V,ID=2A,RL=15Ω,

RG=2.5Ω,VGS=10V


40
nS
开启上升时间
tr
38
关断延迟时间
td(off)
140
关断下降时间
tf
60
栅源电荷密度 Qgs ID=30A,VDD=30V,VGS=10V

48
nC
栅漏电荷密度 Qgd
98


联系方式

企业名:东莞市宇芯电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

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