FUJI/富士模块7MBR25VKD120-50：
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。
  IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

7MBR25VKD120-50

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模块已经广泛用于整流和逆变电路。IGBT是电源或电机驱动用变频电路的开关元件。为了真正满足市场对装置噪音低、效率高、体积小、重量轻、精度高、功能强、容量大的要求，三菱电机积力于新型器件的研究、开发，为人类的节能和环保不断努力。目前已开发出的IGBT模块，IPM，DIPIPM^TM，MOSFET，HVIGBT等功率模块的主要应用于：通用变频器，伺服驱动器，电源装置，电梯，电焊机，逆变焊机，风力发电，太阳能发电，感应加热器，电动叉车，铁道交通、显示装置，马达控制，焊接机器人，机车主变流器和辅助变流器等。随着节能环保的需求持续推动功率模块在电动汽车牵引和电机控制方面的应用发展。应用到这一领域的功率模块必须满足低损耗，高功率密度和高可靠性的要求。三菱电机不断开发出满足这一市场需求的IGBT硅片及模块封装技术，IGBT模块和IPM模块可用于电动汽车、混合动力车
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