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美国万代AOS AO4419 MOS场效应管

美国万代AOS AO4419 MOS场效应管
美国万代AOS AO4419 MOS场效应管
  • 型号/规格:

    AO4419

  • 品牌/商标:

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

  • 封装形式:

    贴片SOP-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • FET 类型:

    P 沟道

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    9.7A(Ta)

  • 驱动电压( Rds On, Rds On):

    4.5V,10V

  • PDF资料:

    点击下载PDF

普通会员
  • 企业名:深圳市泰利科科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-82283268

    手机:13632539197

    联系人:刘先生

    QQ: QQ:2851279179QQ:2851279178

    邮箱:taili002@tailitech.cn

    地址:广东深圳深圳市福田区深南大道赛格广场13楼1307-1308

商品信息

泰利電子(深圳)科技有限公司產品简介 深圳泰利電子主要致力於電子元件的貿易銷售,成立於2009年,是較早的全球品牌元件經銷商之一. 主要代理產品線有塲效應管(MOS-FET),可控硅(IGBT),二/三極管(DIODE/TRANSISTOR),貼片電阻/電容(Resistor/capacitor). 代理品牌: AOS NXP VISHAY STM FAIRCHILD IOR TOSHIBA 


美国万代AOS AO4419 MOS场效应管

美国万代AOS AO4419 MOS场效应管

美国万代AOS AO4419 MOS场效应管

美国万代AOS AO4419 MOS场效应管

数据列表AO4419

标准包装  3,000  

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列-

规格FET 类型P 沟道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)9.7A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On)4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)20 毫欧 @ 9.7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2.7V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)32nC @ 10V

Vgs(值)±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)1900pF @ 15V

FET 功能-

功率耗散(值)3.1W(Ta)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-SOIC

封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


联系方式

企业名:深圳市泰利科科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-82283268

手机:13632539197

联系人:刘先生

QQ: QQ:2851279179QQ:2851279178QQ:28512791775

邮箱:taili002@tailitech.cn

地址:广东深圳深圳市福田区深南大道赛格广场13楼1307-1308

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