您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 场效应管MOSFET > MOSFET

SI7336ADP-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 30A

SI7336ADP-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 30A
SI7336ADP-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 30A
  • 型号/规格:

    SI7336ADP-T1-E3

  • 品牌/商标:

    Vishay Siliconix

  • 封装形式:

    QFN-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • FET 类型\t:

    N 沟道

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    30A(Ta)

  • 驱动电压( Rds On, Rds On):

    4.5V,10V

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值):

    3 毫欧 @ 25A,10V

普通会员
  • 企业名:深圳市泰利科科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-82283268

    手机:13632539197

    联系人:刘先生

    QQ: QQ:2851279179QQ:2851279178

    邮箱:taili002@tailitech.cn

    地址:广东深圳深圳市福田区深南大道赛格广场13楼1307-1308

商品信息

SI7336ADP-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 30A

SI7336ADP-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 30A

SI7336ADP-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 30A

数据列表SI7336ADP;

标准包装  3,000

包装  标准卷带  

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列TrenchFET®

规格FET 类型N 沟道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)30A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On)4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)3 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值)3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)50nC @ 4.5V

Vgs(值)±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)5600pF @ 15V

FET 功能-

功率耗散(值)5.4W(Ta)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装

供应商器件封装PowerPAK® SO-8

封装/外壳PowerPAK® SO-8


联系方式

企业名:深圳市泰利科科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-82283268

手机:13632539197

联系人:刘先生

QQ: QQ:2851279179QQ:2851279178QQ:28512791775

邮箱:taili002@tailitech.cn

地址:广东深圳深圳市福田区深南大道赛格广场13楼1307-1308

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9