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AON6428L N沟道 30V 11A DFN56

AON6428L N沟道 30V 11A DFN56
AON6428L N沟道 30V 11A DFN56
  • 型号/规格:

    AON6428L

  • 品牌/商标:

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

  • 封装形式:

    DFN5X6

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • FET 类型:

    N 沟道

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    11A(Ta),43A(Tc)

  • 驱动电压( Rds On, Rds On):

    4.5V,10V

  • PDF资料:

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普通会员
  • 企业名:深圳市泰利科科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-82283268

    手机:13632539197

    联系人:刘先生

    QQ: QQ:2851279179QQ:2851279178

    邮箱:taili002@tailitech.cn

    地址:广东深圳深圳市福田区深南大道赛格广场13楼1307-1308

商品信息 更新时间:2019-07-05

AON6428L N沟道 30V 11A DFN56 

AON6428L N沟道 30V 11A DFN56 

AON6428L N沟道 30V 11A DFN56 

标准包装  3,000

包装  标准卷带  

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列-  

规格FET 类型N 沟道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)11A(Ta),43A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On)4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)10 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)17.8nC @ 10V

Vgs(值)±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)770pF @ 15V

FET 功能-

功率耗散(值)2W(Ta),30W(Tc)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装

供应商器件封装8-DFN(5x6)

封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线


联系方式

企业名:深圳市泰利科科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-82283268

手机:13632539197

联系人:刘先生

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