IRF7451
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
SOP-8
3.6A
N
150V
企业名:深圳市远东国际电子有限公司
类型:生产制造商
电话: 0755-82721234
手机:13242912888
联系人:陈丹霞
邮箱:YDIC_888@163.COM
地址:广东深圳深圳市华强北路华强广场一楼Q1B082
∟ MOSFET(1)
一般信息
数据列表: IRF7451PbF;
标准包装 : 4,000
包装 : 标准卷带
类别: 分立半导体产品
产品族: 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列: HEXFET®
其它名称: IRF7451PBFTR
IRF7451TRPBF-ND
IRF7451TRPBFTR-ND
SP
规格
FET 类型 :N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3.6A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On): 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) :5.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值): 41nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) :990pF @ 25V
Vgs(值): ±30V
FET 功能 -
功率耗散(值) :2.5W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值): 90 毫欧 @ 2.2A,10V
工作温度 :-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
小功率MOS管是横向导电器件。
电力MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET)。
按垂直导电结构的差异,分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET(Vertical Double-diffused MOSFET)。
这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。
电力MOSFET的工作原理(N沟道增强型VDMOS)
截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。
P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。
导电:在栅源极间加正电压UGS
当UGS大于UT时,P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电 。
结构
企业名:深圳市远东国际电子有限公司
类型:生产制造商
电话: 0755-82721234
手机:13242912888
联系人:陈丹霞
邮箱:YDIC_888@163.COM
地址:广东深圳深圳市华强北路华强广场一楼Q1B082
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