FET 类型 :N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压Vdss:  40V
电流 - 连续漏极（Id）:（25°C 时） 18A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） ;2.25V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） :50nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）； 4500pF @ 20V
Vgs（值）; ±20V
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