类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 495pF @ 15V
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 45 毫欧 @ 6A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

真诚合作，诚信第一，质量保证，价格美丽

企业名：深圳市远东国际电子有限公司

类型：生产制造商

电话： 0755-82721234

手机：13242912888

联系人：陈丹霞

QQ：

邮箱：YDIC_888@163.COM

地址：广东深圳深圳市华强北路华强广场一楼Q1B082