产型型号：NCE01P18K

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：P沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（）：-100V

　　连续漏极电流（）：-18A

　　功率耗散（）：70W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：85mΩ

　　封装：TO252

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　　一般特征：

　　VDS=-100V,ID=-18A

　　RDS(ON)<100mΩ@vg=-10v(Typ：85mΩ)

　　RDS(ON)<120mΩ@vg=-10v(Typ：95mΩ)

　　超高密度电池设计

　　先进的挖沟工艺技术

　　可靠耐用

　　高密度电池设计，超低导通电阻

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　　应用程序：

　　笔记本电脑电源管理

　　便携式设备和电池供电系统

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　　引脚功能：

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　　额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-100V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-18A

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-12A

　　脉冲漏极电流：-100

　　功耗：70W

　　降额因子：0.56W/℃

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

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　　应用电路图:

企业名：深圳市誉辉天成电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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