制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: - 30 V

Id-连续漏极电流: - 3 A

Rds On-漏源导通电阻: 165 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 9.5 nC

配置: Single

Pd-功率耗散: 1.25 W

封装: Cut Tape

高度: 1.1 mm

长度: 2.9 mm

晶体管类型: 1 P-Channel

宽度: 1.3 mm

商标: Infineon Technologies

工厂包装数量: 3000

零件号别名: SP

单位重量: 8 mg

 

    MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。

    MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做为氧化层之用。

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