FQP10N20C 标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 200V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 9.5A
Rds（）@ ID，VGS 360 mOhm @ 4.75A, 10V
VGS（TH）（）@ Id 4V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 26nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 510pF @ 25V
功率 - 72W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装材料 Tube
Package 3TO-220AB
Channel Mode Enhancement
Maximum Drain Source Voltage 200 V
Maximum Continuous Drain Current 9.5 A
RDS-on 360@10V mOhm
Maximum Gate Source Voltage ±30 V
Typical Turn-On Delay Time 11 ns
Typical Rise Time 92 ns
Typical Turn-Off Delay Time 70 ns
Typical Fall Time 72 ns
Operating Temperature -55 to 150 °C
Mounting Through Hole
Standard Package Rail / Tube
Maximum Gate Source Voltage ±30
EU RoHS Compliant
Maximum Operating Temperature 150
Standard Package Name TO-220
Minimum Operating Temperature -55
Channel Type N

产品广泛应用于电源，通讯，汽车电子，医疗设备，节能灯,家电，等领域
＜1＞电源类产品：开关电源、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
＜2＞消费电子类产品：音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
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