• IRF9Z24N
  
• 标准包装 800
• FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
• FET特点 Standard
• 漏极至源极电压（VDSS） 55V
• 电流-连续漏极（编号）@ 25°C 12A
• Rds（）@ ID，VGS 175 mOhm @ 7.2A, 10V
• VGS（TH）（）@ Id 4V @ 250μA
• 栅极电荷（Qg）@ VGS 19nC @ 10V
• 输入电容（Ciss）@ Vds的 350pF @ 25V
• 功率 - 3.8W
• 安装类型 Surface Mount
• 包/盒 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供应商器件封装 D2PAK
• 包装材料 Tape & Reel (TR)
• 包装 3D2PAK
• 渠道类型 P
• 通道模式 Enhancement
• 漏源电压 55 V
• 连续漏极电流 12 A
• RDS -于 175@10V mOhm
• 门源电压 ±20 V
• 典型导通延迟时间 13 ns
• 典型上升时间 55 ns
• 典型关闭延迟时间 23 ns
• 典型下降时间 37 ns
• 工作温度 -55 to 175 °C
• 安装 Surface Mount
• 标准包装 Tape & Reel
• 门源电压 ±20
• 欧盟RoHS指令 Compliant
• 工作温度 175
• 标准包装名称 D2PAK
• 工作温度 -55
• 封装 Tape and Reel
• 漏源电阻 175@10V
• 漏源电压 55
• 每个芯片的元件数 1
• 供应商封装形式 D2PAK
• 功率耗散 3800
• 连续漏极电流 12
• 引脚数 3
• 铅形状 Gull-wing
• FET特点 Standard
• 安装类型 Surface Mount
• 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 12A (Tc)
• 的Vgs（th ） （）@ Id 4V @ 250μA
• IRF9Z24N漏极至源极电压（Vdss） 55V
• 供应商设备封装 D2PAK
• 开态Rds（）@ Id ，V GS 175 mOhm @ 7.2A, 10V
• FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
• 功率 - 3.8W
• 输入电容（Ciss ） @ VDS 350pF @ 25V
• 闸电荷（Qg ） @ VGS 19nC @ 10V
• 封装/外壳 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• IRF9Z24NRoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
• 其他名称 IRF9Z24NSTRLPBFCT
• 工厂包装数量 800
• 晶体管极性 P-Channel
• 

企业名：雅创芯城（深圳）供应链有限公司

类型：贸易/代理/分销

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