本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：8.3 A
Rds上漏源导通电阻：25毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-血浆甲醛：12 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7807TRPBF SP001570502
单位重量：540毫克
特征

•N通道专用MOSFET
•理想用于移动DC-DC转换器
•低传导损耗
•开关损耗低
•无铅
描述

这些新器件采用先进的HEXFET功率MOSFET技术，

实现了导通电阻和栅极电荷的前所未有的平衡。

降低的导通和开关损耗使其非常适合为一

代移动微处理器供电的高效DC-DC转换器。
一对IRF7807器件可为系统电压（例如3.3V和5V）

提供的成本/性能解决方案。
额定值

Parameter		Symbol	IRF7807	IRF7807A	Units
Drain-Source Voltage		VDS	30		V
Gate-Source Voltage		VGS	±12
Continuous Drain or Source Current (VGS 3 4.5V)	25°C	ID	8.3	8.3	A
	70°C		6.6	6.6
Pulsed Drain CurrentCD		IDM	66	66
Power Dissipation	25°C	PD	2.5		W
	70°C		1.6
Junction & Storage Temperature Range		TJ, TSTG	–55 to 150		°C A
Continuous Source Current (Body Diode)CD		IS	2.5	2.5
Pulsed source Current		ISM	66	66

热阻

Parameter		Max.	Units
Maximum Junction-to-AmbientCT	RqJA	50	°C/W

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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