本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
MOSFET封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：250 A
漏源导通电阻：2 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：225 nC
Pd-功率耗散：230 W
商标名：StrongIRFET
封装：Tube
高度：15.65毫米
长度：10毫米
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFB7437PBF SP001556080
单位重量：6 g
应用领域
•有刷电机驱动应用
•BLDC电机驱动器应用
•电池供电电路
•半桥和全桥拓扑
•同步整流器的应用
•谐振模式电源
•ORing和冗余电源开关
•DC / DC和AC / DC转换器
•DC / AC逆变器
好处
•改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
•符合RoHS，无卤素*

额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)	250CD	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)	180
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)	195
IDM	Pulsed Drain Current <I	1000
PD @TC = 25°C	Maximum Power Dissipation	230	W
	Linear Derating Factor	1.5	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10lbf· in (1.1N· m)

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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