本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：IGBT晶体管
RoHS：详细信息
技术：Si
封装/箱体：TO-220AB-3
安装风格：通孔
配置：单
集电极—发射极电压VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：1.95 V
正极/发射极电压：20 V
在25 C的连续集电极电流：36 A
Pd-功率耗散：206 W
IGBT晶体管工作温度：-55 C
IGBT晶体管工作温度：+ 175 C
封装：Tube
集电极连续电流Ic：36 A
高度：16.51毫米
长度：10.67毫米
宽度：4.83毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：IGBT晶体管
工厂包装数量：1000
子类别：IGBT
零件号别名：SP001536144
单位重量：6 g

特征
•低VCE（ON）沟道IGBT技术
•低开关损耗
•结温175°C
•5μS短路SOA
•方形RBSOA
•100％的零件经过4倍额定电流（ILM）测试
•正VCE（ON）温度系数
•超快速软恢复Co-Pak二极管
•紧密的参数分布
•无铅包装
好处
•广泛应用中的高效率
•由于具有以下特性，因此适用于各种开关频率
低VCE（ON）和低开关损耗
•坚固的瞬态性能可提高可靠性
•并联运行中出色的均流
•低EMI
额定值
参数值 单位
VCES集电极-发射极电压600 V
IC @ TC = 25°C连续集电极电流36
IC @ TC = 100°C连续集电极电流18
ICM脉冲集电极电流72
ILM钳位感性负载电流72 A
IF @ TC = 25°C二极管连续正向电流36
IF @ TC = 100°C二极管连续正向电流18
IFM二极管正向电流72
VGE栅极至发射极连续电压±20 V
瞬态栅极至发射极电压±30
PD @ TC = 25°C功耗206 W
PD @ TC = 100°C功耗103
TJ操作结和-55至+175
TSTG储存温度范围°C
焊接温度，持续10秒。 300（距离外壳0.063英寸（1.6毫米））
安装扭矩，6-32或M3螺钉10 lbf·in（1.1 N·m）

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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