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IRF7306TRPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

IRF7306TRPBF MOSFET  ▊进口原装现货▊
IRF7306TRPBF MOSFET  ▊进口原装现货▊
金牌会员 第 14
  • 企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-28892811

    手机:13717085518

    联系人:张凯

    QQ: QQ:375496263

    微信:

    邮箱:szksy82@126.com

    地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

商品信息

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:P-Channel
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:3.6 A
漏源导通电阻:100 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:16.7 nC
Pd-功率耗散:2 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:双
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:2 P通道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF7306TRPBF SP001554154
单位重量:540毫克

特征

•第五代技术
•超低导通电阻
•双P通道Mosfet
•表面贴装
•提供卷带包装
•动态dv / dt评级
•快速切换
•无铅
描述
来自国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,以使每个硅面积的导通电阻尽可能低。这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种非常有效的器件,可广泛用于各种应用中。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改,以增强热特性和多芯片能力,使其成为各种电源应用的理想选择。有了这些改进,可以在一块应用中使用多个设备,从而大大减少了电路板空间。该封装设计用于气相,红外或波峰焊技术。在典型的PCB安装应用中,功耗可能大于0.8W。
额定值

Parameter

Max.

Units

ID @ TA = 25°C

10 Sec. Pulsed Drain Current, VGS @ -10V

-4.0

 

A

ID @ TA = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V

-3.6

ID @ TA = 70°C

Continuous Drain Current, VGS @ -10V

-2.9

IDM

Pulsed Drain Current CD

-14

PD @TA = 25°C

Power Dissipation

2.0

W

 

Linear Derating Factor

0.016

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

20

V

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt 0

-5.0

V/ns

TJ, TSTG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

联系方式

企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-28892811

手机:13717085518

联系人:张凯

QQ: QQ:375496263

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地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

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