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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO6402 AOS 美国万代电子元器件IC

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO6402 AOS 美国万代电子元器件IC

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO6402 AOS 美国万代电子元器件IC

品牌：
AOS
型号：
AO6402
封装：
SOT23-6
批号：
17+18+
FET类型：
参照PDF
漏源电压（Vdss）：
参照PDF
漏极电流(Id)：
参照PDF
漏源导通电阻(RDS On)：
参照PDF
栅源电压(Vgs)：
参照PDF
栅极电荷(Qg)：
参照PDF
反向恢复时间：
标准
耗散功率：
标准

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VIP会员第 11 年

企业名：深圳市创芯联盈电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 18811873148

手机：18811873148

联系人：Joey蔡小姐

QQ：

微信：

邮箱：2885251500@cxlydz.com

地址：广东深圳深圳市福田区深南中路2070号电子大厦5楼整层

产品分类

集成电路(IC)(1971)
∟ 逻辑IC(549)∟ 时钟IC(2)∟ 其他IC(1384)∟ 处理器MPU(36)
电源IC(342)
∟ DC-AC(87)∟ DC-DC(37)∟ LED驱动IC(152)∟ 稳压IC(9)∟ 其他电源IC(57)
半导体存储器(38)
∟ EEPROM（电可擦除可编程ROM）(34)∟ RAM（随机存取存储器）(1)∟ Flash Memory（闪存/快闪存储器）(3)
二极管(13)
∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(3)∟ PIN二极管(10)
场效应管MOSFET(665)
∟ MOSFET(665)
单片机(1)
∟ 其它单片机配套产品/服务(1)
电容器(578)
∟ 贴片(片式/SMD)电容(464)∟ 贴片可(微)调电容(1)∟ 铝电解电容(57)∟ 钽电解电容(1)∟ 高压电容(1)∟ 锂离子电容器(54)
传感器(5)
∟ 温(湿)度传感器(5)
电子测量仪器(1)
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商品信息

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO6402 AOS 美国万代电子元器件IC

场效应管与双极性晶体管的比较场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。

联系方式

企业名：深圳市创芯联盈电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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联系人：Joey蔡小姐

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