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原装 AO4468 SOIC-8 N沟道 30V 10.5A 贴片 MOSFET 场效应管

原装 AO4468 SOIC-8 N沟道 30V 10.5A 贴片 MOSFET 场效应管
原装 AO4468 SOIC-8 N沟道 30V 10.5A 贴片 MOSFET 场效应管
  • 型号/规格:

    AO4468

  • 品牌/商标:

    AOS万代

  • 封装形式:

    SOP8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • PDF资料:

    点击下载PDF

普通会员
  • 企业名:深圳市冠亚通电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-82584853

    手机:13692104516

    联系人:易小姐 辛先生 兰先生 周先生

    QQ: QQ:786015086

    邮箱:szguanyatong88@163.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华强北路深纺大厦A座903

商品信息 更新时间:2019-10-26

General Description Product Summary

VDS

ID (at VGS=10V) 10.5A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 17mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 23mΩ

ESD Protected

100% UIS Tested

100% Rg

Tested

Symbol

VDS

The AO4468 combines advanced trench MOSFET

technology with a low resistance package to provide

extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch

and battery protection applications.

* RoHS and Halogen-Free Compliant

Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted

30V

Drain-Source Voltage 30

SOIC-8

Top View Bottom View

D

D

D

D

S

S

S

G

G

D

S

VDS

VGS

IDM

IAS, IAR

EAS, EAR

TJ

, TSTG

Symbol

t ≤ 10s

Steady-State

Steady-State RθJL

°C

Thermal Characteristics

W

3.1

TA=70°C 2

Junction and Storage Temperature Range -55 to 150

Power Dissipation B

PD

Parameter Typ Max Units

°C/W RθJA

31

59

Maximum Junction-to-Ambient 40 A

Gate-Source Voltage ±20 V

mJ

Avalanche Current C

18

19 A

A

10.5

V

8.5

50

Drain-Source Voltage 30

TA=25°C

TA=70°C

Avalanche energy L=0.1mH C

Pulsed Drain Current C

Continuous Drain

Symbol Min Typ Max Units

BVDSS 30 V

VDS=30V, VGS=0V 1

TJ=55°C 5

IGSS ±10 μA

VGS(th) Gate Threshold Voltage 1.2 1.8 2.4 V

ID(ON) 50 A

14 17

TJ=125°C 20 24

18 23 mΩ

gFS 36 S

VSD 0.75 1 V

IS 4 A

Ciss 740 888 pF

Coss 110 145 pF

Crss 82 115 pF

Rg 0.5 1.1 1.7 Ω

Qg

(10V) 15 nC

Qg

(4.5V) 7.5 nC

Qgs 2.5 nC

Qgd 3 nC

tD(on) 5 ns

t 3.5 ns

Turn-On DelayTime

DYNAMIC PARAMETERS

Turn-On Rise Time V =10V, V =15V, R =1.45Ω,

Gate Source Charge

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

Total Gate Charge

mΩ

On state drain current

IS=1A,VGS=0V

VDS=5V, ID=10.5A

VGS=4.5V, ID=9A

Forward Transconductance

Maximum Body-Diode Continuous Current

RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance

IDSS

Drain-Source Breakdown Voltage

Diode Forward Voltage

μA

VDS=VGS ID=250μA

VDS=0V, VGS=±16V

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate-Body leakage current

VGS=10V, VDS=15V, ID=10.5A

ID=250μA, VGS=0V

VGS=10V, VDS=5V

VGS=10V, ID=10.5A

Gate Drain Charge

Total Gate Charge

Input Capacitance

Output Capacitance

Electrical Characteristics (TJ=25°C unless otherwise noted)

STATIC PARAMETERS

Parameter Cond

联系方式

企业名:深圳市冠亚通电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-82584853

手机:13692104516

联系人:易小姐 辛先生 兰先生 周先生

QQ: QQ:786015086

邮箱:szguanyatong88@163.com

地址:广东深圳深圳市福田区华强北路深纺大厦A座903

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