IGBT IHW20N120R3、场效应

品牌/商标：
INFINEON/英飞凌
型号/规格：
IHW20N120R3
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
L/功率放大
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
IGBT*缘栅比*
开启电压：
5.1（V）
夹断电压：
1200（V）
漏*电流：
0.005（mA）
耗散功率：
395000（mW）

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商品信息

我司的主要业务为：彩电、音响、开关电源、玩具、*灯、家电、智能控制器、LDE驱动等产品提供配套元件,主要经营国内外各*三*管，场效应MOSFET,可控硅，IC。分销国外品牌ST（意法半导体）、IR（国际整流器）、FSC（*童）、TI（德州）、ON（安森美）、HT（合泰）HIT（日立）TOSHIBA（东芝）等品牌元件。尤其是对照明与电源方面应用的三*管与MOS管。价格优惠，质量*，如期供货，提供*的技术支持。另：承接晶圆(三*管)*，封装，测试承接业务。愿我们建立长期的合作伙伴关系！祝贵公司更能受到更多的客户的亲睐和支持。