IRLIB4343PBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
散装
大功率
企业名:深圳市勤思达科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-83264115
0755-82710921
手机:15889758566
13714022780
联系人:朱亮成/18948336722
微信:
邮箱:1282971461@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强北赛格科技园四栋中12楼A4座—2L
型号:IRLIB4343PBF IRLIB4343PBF
品牌:IR
厂家:IRF [International Rectifier]
描述:DIGITAL AUDIO MOSFET
典型关断延迟时间:23 ns
典型接通延迟时间:5.7 ns
典型栅极电荷@Vgs:28 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds:740 pF V @ 50
安装类型:通孔
封装类型:TO-220 Full-Pak
引脚数目:3
工作温度:-40 °C
功率耗散:39000 mW
栅源电压:±20 V
漏源电压:55 V
漏源电阻值:0.05
连续漏极电流:19 A
工作温度:+175 °C
每片芯片元件数目:1
类别:功率 MOSFET
通道模式:增强
通道类型:N
配置:单
高度:9.8mm
标准包装:3,000
封装:TO-220
IRLIB4343PBF
IRLIB4343PBF
备注:这一数字音频HEXFET®是专门为D类音频放大器应用设计的。这个MOSFET采用的处理技术来
实现低通态电阻每硅片面积。此外,栅极电荷,体二极管的反向恢复和内部栅极电阻进行了优化,以提高
关键的D类音频放大器的性能因素,如效率, THD和EMI 。这种MOSFET的附加功能是175 ° C的工作结温
重复雪崩能力。这些功能结合起来,使这个MOSFET高效,强大和可靠的设备D类音频放大器应用程序。
Features
Advanced Process Technology
Key Parameters Optimized for Class-D Audio
Amplifier Applications
Low RDSON for Improved Efficiency
Low Qg and Qsw for Better THD and Improved
Efficiency
Low Qrr for Better THD and Lower EMI
175°C Operating Junction Temperature for
Ruggedness
Repetitive Avalanche Capability for Robustness and
Reliability
企业名:深圳市勤思达科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-83264115
0755-82710921
手机:15889758566
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联系人:朱亮成/18948336722
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