产品种类:  IGBT 模块   
制造商:  Infineon   
产品:  IGBT Silicon Modules   
配置:  Dual   
集电极—发射极电压 VCEO:  1700 V   
集电极—射极饱和电压:  2.45 V   
在25 C的连续集电极电流:  404 A   
栅极—射极漏泄电流:  400 nA   
Pd-功率耗散:  1450 W   
封装 / 箱体:  62 mm   
工作温度:  + 125 C   
商标:  Infineon Technologies  
高度:  30.9 mm  
长度:  106.4 mm  
栅极/发射极电压:  +/- 20 V  
工作温度:  - 40 C  
安装风格:  Screw  
工厂包装数量:  10  
宽度:  61.4 mm 

企业名：深圳市金嘉锐电子有限公司

类型：生产制造商

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