AOS场效应管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 具有优良的耐热性DPAK / IPAK封装，该器件非常适合大电流应用。

    AOS场效应管规格：

    制造商:Alpha&OmegaSemiconductorInc.

    标准包装:2,500

    包装:标准卷带

    零件状态:停產

    类别:分立半导体产品

    产品族:晶体管-FET，MOSFET-单

    FET类型:P沟道

    技术:MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）:40V

    电流-连续漏极（Id）（25°C时）:40A（Tc）

    驱动电压（RdsOn，RdsOn）:4.5V，10V

    不同Id，Vgs时的RdsOn（值）:15毫欧@20A，10V

    不同Id时的Vgs（th）（值）:3V@250?A

    不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（值）:55nC@10V

    Vgs（值）:±20V

    不同Vds时的输入电容（Ciss）（值）:2550pF@20V

    功率耗散（值）:62.5W（Tc）

    工作温度:-55°C~175°C（TJ）

    安装类型:表面贴装

    供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）

    封装/外壳:TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63

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