STD5NK50ZT4
ST(意法半导体)
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
企业名:圣禾堂(深圳)电子科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 4001688345
手机:18923804606
联系人:圣禾堂客服
地址:广东深圳深圳市龙岗区坂雪岗大道1号泽润中心4F/香港物流中心:香港屯门清扬街1号世纪城市工业大厦1楼B
∟ 整流二极管模块(7)
增强型结型场效应管规格:
制造商:STMicroelectronics
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TO-252-3
通道数量:1Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:500V
Id-连续漏极电流:4.4A
RdsOn-漏源导通电阻:1.5Ohms
Vgs-栅极-源极电压:30V
工作温度:-55C
工作温度:+150C
Pd-功率耗散:70W
通道模式:Enhancement
高度:2.4mm
长度:6.6mm
系列:STB5NK50Z
晶体管类型:1N-Channel
类型:MOSFET
宽度:6.2mm
正向跨导-值:3.1S
下降时间:15ns
产品类型:MOSFET
上升时间:10ns
工厂包装数量:2500
典型关闭延迟时间:32ns
典型接通延迟时间:15ns
单位重量:4g
场效应管的使用注意事项:
(1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,漏源电压、栅源电压和电流等参数的极限值.
(2)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性.如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压,等等.
(3)MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿.尤其要注意,不能将MOS场效应管放人塑料盒子内,保存时放在金属盒内,同时也要注意管的防潮.
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